|
W27C512-45Z (Winbond)
|
DIP-28-300 CMOS EE-EPROM 512K (64Kx8),Z означает,что сделанна по бессвинцовой технологии
|
|
24,73
|
22.01.2025 12:42:28
|
|
|
|
W27C512-45
|
Микросхема (Winbond - 64K X 8 Electrically Erasable EPROM, dip-28)
|
15
|
9,53
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
W27C512-45Z
|
Winbond DIP-28
|
5
|
15,08
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
|
W27C512P-45Z
|
Winbond PLCC-32
|
271
|
15,08
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
|
W27C512-45 DIP28
|
Микросхема WINDBOND
|
5
|
25,34
|
20.01.2025 11:01:07
|
|
|
|
W27C512-45Z DIP28 Windbond
|
|
44
|
50,57
|
20.01.2025 10:54:32
|
|
|
|
W27C512P-45Z PLCC32 Winbond
|
|
25
|
90,49
|
20.01.2025 10:54:32
|
|
|
|
W 27C512-45Z транзисторы
|
WINBOND DIP28
|
|
|
17.01.2025 14:19:28
|
|
|
|
микросхема W27C512-45Z
|
|
3
|
81,45
|
17.01.2025 11:19:05
|
|
|
|
W27C512P-45Zмикроконтроллеры ипамять
|
|
10
|
63,44
|
17.01.2025 11:17:01
|
|
|
|
W27C512P-45Z
|
|
211
|
29,72
|
17.01.2025 11:15:52
|
|
|
|
W27C512-45Z (Winbond)
|
DIP-28-300
|
|
22,52
|
26.09.2024 14:55:39
|
|
|
|
W27C512P-45
|
WINBOND
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
W27C512-45Z
|
WINBOND
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
W27C512-45Z
|
WINBOND
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
W27C512-45Z
|
WINBOND
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
W27C512-45Z
|
WINBOND
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
W27C512-45Z
|
WINBOND
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
W27C512-45Z PBF
|
WINBOND
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
Микросхемы памяти
W27C512-45Z, Энергонезависимая память (EEPROM 64kx8) [PDIP-28]
|
Winbond
|
|
7,40
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
