|
SMD-0805 680 Ом
|
13 РЕЗИСТОРЫ - ПОСТОЯННЫЕ - Р1-12 от 100шт
|
3900
|
0,01
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
|
SMD-0805 680 кОм 1%
|
12 РЕЗИСТОРЫ - ПОСТОЯННЫЕ - Р1-12 от 100шт
|
4400
|
0,04
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
|
SMD-0805 680 кОм
|
13 РЕЗИСТОРЫ - ПОСТОЯННЫЕ - Р1-12 от 100шт
|
11500
|
0,01
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
|
SMD-резистор 0805 680 kom ±5% (1/8W) RO
|
ROYALOHM
|
80000
|
0,01
|
26.09.2024 15:04:30
|
|
|
|
SMD-резистор 0805 680 kom ±1% (точные) RO
|
ROYALOHM
|
25000
|
0,02
|
26.09.2024 15:04:30
|
|
|
|
SMD-резистор 0805 680 om ±5% (1/8W) RO
|
ROYALOHM
|
50000
|
0,01
|
26.09.2024 15:04:30
|
|
|
|
SMD-резистор 0805 680 om ±1% (точные) RO
|
ROYALOHM
|
15000
|
0,02
|
26.09.2024 15:04:30
|
|
|
|
SMD-резистор 0805 680 om ±5%
|
Faithful Link
|
75000
|
0,01
|
26.09.2024 15:04:30
|
|
|
|
Р 680 \ 0,100\SMD02012C2[0805]\ 1\\2C\RC\
|
Постоянные резисторы для поверхностного монтажа
|
2380
|
0,20
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
Р 680 \ 0,100\SMD02012C2[0805]\ 5\\\\
|
Постоянные резисторы для поверхностного монтажа
|
11345
|
0,10
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
к 680 пФ\ 50\SMD02012C2[0805]\\+125C\X7R\\\
|
15%/-55~+125C [0805] Чип-конденсаторы керамические
|
3280
|
0,50
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
к 6800 пФ\ 50\SMD02012C2[0805]\20\+125C\X7R\\\
|
6800 пФ=6,8нФ 15%/-55~+125C Чип-конденсаторы керамические
|
2584
|
0,50
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
Р 6,8 \ 0,100\SMD02012C2[0805]\ 5\\\\
|
Постоянные резисторы для поверхностного монтажа
|
3780
|
0,10
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
Р 68 \ 0,100\SMD02012C2[0805]\ 1\\2C\RC\
|
Постоянные резисторы для поверхностного монтажа
|
2890
|
0,20
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
Р 68 \ 0,100\SMD02012C2[0805]\ 5\\2C\RC\
|
Постоянные резисторы для поверхностного монтажа
|
19855
|
0,10
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
индук 68,0нГн\ 0,46А\SMD02012C2[0805]\\LQW2BH\
|
LQW2BHN68NJ01\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
3
|
4,02
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
индук 68,0нГн\\SMD02012C2[0805]\\\катушка
|
7055 L 68,0нГн\\0805\SMD\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
2
|
3,32
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
индук 68,0нГн\\SMD02012C2[0805]\\\кер
|
7046 L 68,0нГн\\0805\SMD\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
87
|
3,32
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
индук 680,0нГн\ 0,15А\SMD2012C2[0805]\10%\LQN21A
|
LQN21AR68K\\\\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
180
|
4,52
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
индук 680,0нГн\ 0,19А\SMD02417C2[0805]\ 5%\CS0805\
|
CHILISIN T/- [LQW2BASR68J00*] Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
75
|
1,31
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
