|
гк 20000 \\SMD02016C4\CM\1,8В\NZ2016SH\NDK
|
30/-40~125C [END5918A](20,00H24: TRI
|
235
|
27,94
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
гк 11520 \\HALF\CM\3,3В\SQ2200V\(BSH HM19)
|
100/0~70C 40/60%
|
25
|
35,49
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
12000 \HC49S3\12\ 30\ 30/-10~60C\49S[HUBEI]\1Г(раз
|
MEC Rs60 (разная)(краска)
|
262
|
2,27
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
12000 \HC49U\S\\\HC49U[MEC]\1Г бм
|
MEC
|
32824
|
1,36
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
18432 \UM1\30\ 10\\\1Г +IS (Hy-Q) (18432-00)
|
(лазер)
|
44
|
18,88
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
55200 \UM5\13\\\SH[SUNNY]\1Г (SUNNY)
|
1гар проверенно (55.200 SUNNY)
|
286
|
22,65
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
кэ 6,8\200\10x12\20\+105C\Al\2L\SH\YAGEO
|
SH200M6R80B5S-1012\ Конденсаторы электролитические
|
3
|
2,27
|
02.04.2026 14:25:21
|
|
|
|
очиститель POLISHER\200мл\\\
|
Очистители, растворители
|
12
|
159,03
|
02.04.2026 14:25:21
|
|
|
|
конденсатор SH-200 В-4,7 мкФ (10х12) (105°C) Yageo
|
|
120
|
0,60
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
диод BYV28-200 Vishay
|
|
48
|
7,55
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
конденсатор MKPH-SH 630 B~ (1200 В=) 0,15 мкФ 5% (J) 50 кГц
|
|
3
|
30,21
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
конденсатор WH-63 В-2200 мкФ (18x40), (105°C) Aishi
|
|
30
|
22,65
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
микросхема TA8200AH Toshiba
|
|
2
|
22,65
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
микросхема TD62004F Toshiba
|
|
43
|
8,76
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
резистор SH-085-0,125 Вт-200 кОм (аналог СП3-38Б) 20%
|
|
495
|
2,27
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
транзистор 2SC5200 Toshiba
|
|
5
|
67,96
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
транзистор S2000A1 Toshiba
|
|
4
|
19,63
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
транзистор S2000N Toshiba
|
|
3
|
18,12
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
КВАРЦ 12МГЦ HC-49S (HCM4912000000ABJT)
|
|
3000
|
0,01
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
CM1200HCB-34N MITSUBISHМОДУЛЬ
|
|
2
|
0,01
|
02.04.2026 13:38:19
|
|
|
