LA47503 Sanyo
|
|
1
|
35,28
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
CL21-NP0-4700 пФ-50 В-5% (chip 0805) Samsung
|
|
60
|
0,39
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
CL21-X7R-0,047 мкФ-50 В-10% (chip 0805) Samsung
|
|
1159
|
0,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
CL21-X7R-0,47 мкФ-50 В-10% (chip 0805) Samsung
|
|
930
|
0,26
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
CL21-X7R-4700 пФ-50 В-10% (chip 0805) Samsung
|
|
1970
|
0,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
CL21-Y5V-0,047 мкФ-50 В-20+80% (chip 0805) Samsung
|
|
2820
|
0,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
CL31-C0G-47 пФ-50 В-5% (chip 1206) Samsung
|
|
3095
|
0,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
CL31-X7R-0,047 мкФ-50 В-10% (chip 1206) Samsung
|
|
1801
|
0,13
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
CL31-X7R-4700 пФ-50 В-10% (chip 1206) Samsung
|
|
7979
|
0,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
CL31-Y5V-0,047 мкФ-50 В (chip 1206) -20+80% Samsung
|
|
3550
|
0,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
RD-250 В-47 мкФ 20%, (13х25), (105°C) Samwha
|
|
70
|
7,19
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
RD-450 В-47 мкФ 20%, (16x35), (105°) Samwha
|
|
2
|
19,60
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
SC-1H-476-M-50 В-47 мкФ 20% (6,3х7,7) (chip aluminium) Samwha
|
|
773
|
0,78
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
к50-29 4700м 25в SA 18х36 85C SA4700M25V
|
TREC Электролитические конденсаторы
|
10
|
5,03
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
к50-имп.-16в-470 мкФ (б/г.) Samsung
|
конденсатор (105°, 10х16)
|
147
|
1848,43
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
к50-имп.-50в-4700 мкФ-20% SAMWHA
|
конденсатор (85°,18Х40, SD Series)
|
1
|
7,19
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
к50-имп.-16в-470 мкФ-20% (б/г.) Sancon
|
конденсатор (85°, CD110, 08x12)
|
265
|
1107,81
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
HSA504K7J-4,7 кОм-5% (6-1625984-3) (2016...2019г.)
|
резистор (TE Connectivity - Aluminium Housed Power Resistors)
|
98
|
22,12
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
BCR158WH6327XTSA1 pnp 50V 100mA 250mW Built in bias resistor Rb=2.2k, Rbe=47k
|
19 Infineon SOT-323 3000
|
105914
|
0,40
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
BCR158WH6327XTSA1 pnp 50V 100mA 250mW Built in bias resistor Rb=2.2k, Rbe=47k
|
19 Infineon SOT-323 3000
|
|
0,40
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|