|
гк 10000 \VCTCXO\SMD02016C4\SIN\3,3В\DSA211SDN\KDS
|
2,5/-40~85C Vc:1,5+\-1В ПЧ:12ppm
|
2412
|
29,45
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
гк 16320 \VCTCXO\SMD03225C4\SIN\3,3В\DSA321SDA\KDS
|
KDS 0,5/-30~85C (16.32S D941) T/
|
96
|
52,86
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
гк 32000 \TCXO\SMD02016C4\SIN\3,3В\NT2016SA\NDK
|
2,5/-40~85C T/- [END4263A]
|
89
|
68,72
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
пп KA2133\DIP-16G \AV-TV\SAM
|
Полупроводники
|
1
|
22,65
|
02.04.2026 14:25:21
|
|
|
|
конденсатор RD-16 В-330 мкФ 20%, (8х12), (105°C) Samwha
|
|
191
|
1,06
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
резистор RC3216-J-33 кОм 5% (chip 1206) Samsung
|
|
1198
|
0,06
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
SA-16-330
|
|
5
|
6,32
|
02.04.2026 13:34:31
|
|
|
|
SA-16-3300
|
|
5
|
20,60
|
02.04.2026 13:34:31
|
|
|
|
ЧИП резистор 0603 3,3ом 5% Samsung RC1608J3R3CS
|
|
4950
|
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
2SA1633
|
транзистор TO3P PMC
|
7
|
49,27
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
припой диам1,6мм,2,ASAHI,ПОС60 RMAбезотмывный флюсHF533 в катушках,№ПР32
|
50г
|
5
|
938,59
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
330мкФ 400В 25x50 –55 to +125°C 8000ч. «SIC-SAFCO» A716107
|
|
50
|
0,10
|
16.01.2026 13:32:50
|
|
|
|
RD-16 В-330 мкФ 20%, (8х12), (105°C) Samwha
|
конденсатор
|
191
|
2,08
|
16.01.2026 13:21:47
|
|
|
|
RC3216-J-33 кОм 5% (chip 1206) Samsung
|
резистор
|
1198
|
0,12
|
16.01.2026 13:21:47
|
|
|
|
2SA1633 TO247AC
|
|
2
|
|
30.10.2025 11:12:40
|
|
|
|
Конденсаторы/Электролитические аксиальные
К 50-24-250В-47 мкф TREC/SA 1633
|
К Код К4552 TREC/Transcend Electrolytic
|
1
|
10,39
|
09.10.2025 12:27:35
|
|
|
|
Конденсаторы/ Электролитические радиальные
электролитический радиальный :16В-330 мкф 0811 105C LowESR Samwha/WB
|
электролитический радиальный Код К23337 Samwha Electric
|
2995
|
1,22
|
09.10.2025 12:27:35
|
|
|
|
3300мкФ 6,3В 12х16 105CSAMWHA
|
|
115
|
|
17.01.2025 14:30:47
|
|
|
|
330мкФ 50В (RD 10X16) SAMWHA Кондесатор эл.
|
|
-200
|
|
17.01.2025 14:30:47
|
|
|
|
LP-586 SAMSUNG 19V3.16/5.0 BB033
|
|
|
41,22
|
09.06.2022 14:34:44
|
|
|
