|
MRF177 (2008г.)
|
(M/A-COM - The RF MOSFET Line 100W 400MHz 28V, Case 744A–01) транзистор
|
3
|
687,43
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRFRC20 (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A), D-Pak) транзистор
|
6
|
4,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRFZ24N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A), TO-220AB) транзистор
|
10
|
3,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
MRF373ALS (2008г.)
|
-- транзистор
|
8
|
334,01
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRFP4127PBF (2008г.)
|
(IR - 200V, 75A, Rds(on)typ.=17mA, HEXFET® Power MOSFET, TO-247AC) транзистор
|
660
|
23,13
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRFZ44N (2008г.)
|
(IR - HEXFET®Power MOSFET, Vdss=50V, Id=49A, Rds(on)=17.5mOhm, TO-220) транзистор
|
9
|
4,32
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF530N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A,TO-220AB) транзистор
|
21
|
4,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF640N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB) транзистор
|
372
|
5,53
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF7389TRPBF (2008г.)
|
(IR - Dual P/N-Ch HEXFET® Power MOSFET, Vdss=-30/30V, so-8) транзистор
|
10
|
3,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRFR9024NPBF (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A), D-Pak) транзистор
|
2
|
3,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
RF-2008
|
GAINTA Крепежные элементы Приборные ножки круглые; на липкой основе 3M; материал: резина; размеры: d=22, h=10 мм; цвет: черный
|
330
|
1,65
|
16.01.2026 14:03:55
|
|
|
|
Предохранитель RF1-5x20 0,8А (5 х 20)
|
прочее
|
33
|
1,48
|
16.01.2026 13:21:47
|
|
|
|
Ножки для корпусов РЭА
RF-2008, Ножка приборная
|
Gainta
|
|
0,42
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
устройство трассировки и идентификации элементов сетей электропитания
Power Finder 2008
|
12
|
|
1583,42
|
19.10.2009 13:15:09
|
|
|
