|
RF-2008
|
Крепежные элементы GAINTA Приборные ножки круглые; на липкой основе 3M; материал: резина; размеры: d=22, h=10 мм; цвет: черный
|
10
|
2,07
|
14.05.2026 8:57:44
|
|
|
|
MRF177 (2008г.)
|
транзистор (M/A-COM - The RF MOSFET Line 100W 400MHz 28V, Case 744A–01)
|
3
|
1032,59
|
29.04.2026 13:59:53
|
|
|
|
IRFRC20 (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A), D-Pak)
|
6
|
6,04
|
29.04.2026 13:59:53
|
|
|
|
IRFZ24N (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A), TO-220AB)
|
10
|
4,53
|
29.04.2026 13:59:53
|
|
|
|
MRF373ALS (2008г.)
|
транзистор --
|
8
|
501,72
|
29.04.2026 13:59:53
|
|
|
|
IRFP4127PBF (2008г.)
|
транзистор (IR - 200V, 75A, Rds(on)typ.=17mA, HEXFET® Power MOSFET, TO-247AC)
|
660
|
34,74
|
29.04.2026 13:59:53
|
|
|
|
IRFZ44N (2008г.)
|
транзистор (IR - HEXFET®Power MOSFET, Vdss=50V, Id=49A, Rds(on)=17.5mOhm, TO-220)
|
9
|
6,49
|
29.04.2026 13:59:53
|
|
|
|
IRF530N (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A,TO-220AB)
|
21
|
6,04
|
29.04.2026 13:59:53
|
|
|
|
IRF640N (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB)
|
372
|
8,31
|
29.04.2026 13:59:53
|
|
|
|
IRF7389TRPBF (2008г.)
|
транзистор (IR - Dual P/N-Ch HEXFET® Power MOSFET, Vdss=-30/30V, so-8)
|
10
|
4,53
|
29.04.2026 13:59:53
|
|
|
|
IRFR9024NPBF (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A), D-Pak)
|
2
|
4,53
|
29.04.2026 13:59:53
|
|
|
|
прочее Предохранитель RF1-5x20 0,8А (5 х 20)
|
|
33
|
0,99
|
17.04.2026 8:48:08
|
|
|
|
RF-2008
|
GAINTA Крепежные элементы Приборные ножки круглые; на липкой основе 3M; материал: резина; размеры: d=22, h=10 мм; цвет: черный
|
330
|
1,65
|
16.01.2026 14:03:55
|
|
|
|
Ножки для корпусов РЭА
RF-2008, Ножка приборная
|
Gainta
|
|
0,42
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
устройство трассировки и идентификации элементов сетей электропитания
Power Finder 2008
|
12
|
|
1583,42
|
19.10.2009 13:15:09
|
|
|
