|
MRF134 (2006г.)
|
(5,0 W, to 400 MHz, N–Channel MOS Broadband RF Power FET) транзистор
|
18
|
286,55
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRFRC20 (2006г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A), D-Pak) транзистор
|
1
|
4,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF2807S (2006г.)
|
(IR - N-Ch HEXFET® Power MOSFET, Vdss=75V, Rds(on)=13mOhm, 82A, D2Pak) транзистор
|
44
|
11,06
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRFBC40ASPBF (2006г.)
|
(Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A), D2Pak, IR) транзистор
|
15
|
6,03
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
MRF455 (2006г.)
|
(The RF Line NPN Silicon Power Transistor, 60W, 30MHz, 12,5V, M/A-COM) транзистор
|
23
|
392,83
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
RFB1010-222L-2,2 мкГн-10%-0.41А (2006г.)
|
(COILCRAFT-Low cost, high current power inductor 2.2 uH) дроссель
|
2000
|
8,04
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
MRF134 (луж.) (2006г.)
|
(5,0 W, to 400 MHz, N–Channel MOS Broadband RF Power FET, M/A-COM) транзистор
|
21
|
157,15
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
MRF141G (2005, 2006г.)
|
(M/A-COM - RF Power FET 300W, 175MHz, 28V) транзистор
|
134
|
1374,76
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
MRF455 (луж.) (2006г.)
|
(The RF Line NPN Silicon Power Transistor, 60W, 30MHz, 12,5V, M/A-COM) транзистор
|
253
|
196,47
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
MRF553 (2006г.)
|
(Microsemi - RF Microwave Discrete Low Power Transistor) транзистор
|
99
|
19,81
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF730 (2006г.)
|
(IR-N-Channe Power MOSFET, Vdss=400V, Rds(on)=1ohm, Id=5.5А, TO-220AB) транзистор
|
5
|
5,53
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
MRF9045LR1 (2006г.)
|
(Freescale - N-Ch Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) транзистор
|
1
|
261,42
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF9610PBF (2006г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A), TO-220AB) транзистор
|
548
|
4,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
RF-2006
|
GAINTA Крепежные элементы Приборные ножки квадратные; на липкой основе 3M; материал: резина; размеры: 13x13x5 мм; цвет: черный
|
1600
|
1,08
|
16.01.2026 14:03:55
|
|
|
