|
MRF134 (2006г.)
|
транзистор (5,0 W, to 400 MHz, N–Channel MOS Broadband RF Power FET)
|
10
|
289,48
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
IRFRC20 (2006г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A), D-Pak)
|
1
|
4,06
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
IRF2807S (2006г.)
|
транзистор (IR - N-Ch HEXFET® Power MOSFET, Vdss=75V, Rds(on)=13mOhm, 82A, D2Pak)
|
44
|
11,17
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
IRFBC40ASPBF (2006г.)
|
транзистор (Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A), D2Pak, IR)
|
15
|
6,09
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
MRF455 (2006г.)
|
транзистор (The RF Line NPN Silicon Power Transistor, 60W, 30MHz, 12,5V, M/A-COM)
|
23
|
396,84
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
RFB1010-222L-2,2 мкГн-10%-0.41А (2006г.)
|
дроссель (COILCRAFT-Low cost, high current power inductor 2.2 uH)
|
2000
|
8,13
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
MRF134 (луж.) (2006г.)
|
транзистор (5,0 W, to 400 MHz, N–Channel MOS Broadband RF Power FET, M/A-COM)
|
21
|
158,76
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
MRF141G (2005, 2006г.)
|
транзистор (M/A-COM - RF Power FET 300W, 175MHz, 28V)
|
133
|
1388,79
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
MRF455 (луж.) (2006г.)
|
транзистор (The RF Line NPN Silicon Power Transistor, 60W, 30MHz, 12,5V, M/A-COM)
|
253
|
198,47
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
MRF553 (2006г.)
|
транзистор (Microsemi - RF Microwave Discrete Low Power Transistor)
|
99
|
20,01
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
MRF9045LR1 (2006г.)
|
транзистор (Freescale - N-Ch Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
|
2
|
264,09
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
IRF9610PBF (2006г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A), TO-220AB)
|
548
|
4,06
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
RF-2006
|
Крепежные элементы GAINTA Приборные ножки квадратные; на липкой основе 3M; материал: резина; размеры: 13x13x5 мм; цвет: черный
|
1580
|
1,09
|
14.05.2026 8:57:44
|
|
|
