|
3SK136IV MOSFET Vds=20V Id=35mA NF=0.2dB on 200MHz
|
б/г HITACHI SOT-143 катушка 3000
|
4165
|
0,40
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
3SK136IV MOSFET Vds=20V Id=35mA NF=0.2dB on 200MHz
|
б/г HITACHI SOT-143 катушка 3000
|
|
0,40
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
MO200-2W 36 kOm 5%
|
11г
|
100
|
0,40
|
26.09.2024 15:00:34
|
|
|
|
гк 32000 \\SMD07050C4\T/CM\3,3В\MO-36B-S\MEC
|
TRI 50/-40~85C 40/60% T/R
|
0
|
18,60
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
MO200-2W 36 KOM 5%
|
|
75
|
3,22
|
26.09.2024 14:41:17
|
|
|
|
3SK136IV MOSFET VDS=20V ID=35MA NF=0,2DB ON 200MHZ
|
|
3119
|
0,64
|
26.09.2024 14:39:41
|
|
|
|
3SK136IV MOSFET VDS=20V ID=35MA NF=0.2DB ON 200MHZ
|
б/г HITACHI SOT-143 катушка 3000
|
4165
|
0,42
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
MO200-2W 36 KOM 5%
|
2011г
|
100
|
0,68
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
MO-200-2-360 к J
|
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
MO-200-2-0.36 J
|
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 3.6 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 360 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 360 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 3.6 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 36 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Разъемы-имп
0436500200 MOLEX
|
артикул 00291137
|
|
|
03.11.2016 14:09:28
|
|
|
|
Разъемы-имп
1200710036 MOLEX
|
артикул 00307320
|
|
20,58
|
03.11.2016 14:09:28
|
|
|
