|
CAT.NO.EB5A-MOD A 2200 EB440LA 1 -110В 50A
|
Пускатель бг скол ребра частично без крепежа Н.уп.:
|
1
|
|
02.10.2025 15:18:47
|
|
|
|
APT20M11JFLL MOSFET N-CH 200V 176A
|
APT ISOTOP
|
36
|
452,45
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
FQB12P20TM MOSFET P-Ch 200V 11.5A
|
22 ON TO-263-3
|
731
|
4,52
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
IRF9640STRLPBF MOSFET P-Ch 200V 11A
|
19 Vishay D2Pak
|
117
|
3,52
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
IRF9640STRLPBF MOSFET P-Ch 200V 11A
|
Vishay D2Pak
|
472
|
3,52
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
APT20M11JFLL MOSFET N-CH 200V 176A
|
|
|
|
01.10.2025 12:56:45
|
|
|
|
APT20M11JFLL MOSFET N-CH 200V 176A
|
б/г APT ISOTOP б/уп
|
36
|
474,57
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
Дин. MOT C200/Er T68/NOK1100/2300...
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
MO-200s-2-1.1 м J
|
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
MO-200-2-11 J
|
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.1 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 1.1 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 11 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 110 Ом, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Резисторы мощные (2 и более Вт)
MO-200 (С2-23) 2 Вт, 110 кОм, 5%, Резистор металлооксидный
|
Тайвань
|
|
0,16
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
инструменты
0011020003 MOLEX
|
артикул 00304446
|
|
211,65
|
03.11.2016 14:11:19
|
|
|
|
инструменты
0638118200 MOLEX
|
артикул 00285897
|
|
1940,02
|
03.11.2016 14:11:19
|
|
|
|
Разъемы-имп
0510211200 MOLEX
|
артикул 00269378
|
|
1,26
|
03.11.2016 14:09:28
|
|
|
|
Разъемы-имп
1200110017 MOLEX
|
артикул 00328983
|
|
23,52
|
03.11.2016 14:09:28
|
|
|
|
Разъемы-имп
1200110019 MOLEX
|
артикул 00312541
|
|
23,52
|
03.11.2016 14:09:28
|
|
|
