MF200-2-51К
|
б/г, на ленте
|
258
|
0,10
|
26.09.2024 15:45:17
|
|
|
MF-0,25 620 Ом 1%
|
импорт Постоянные резисторы до 2 вт
|
695
|
0,06
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
MF-0,25 200 Ом 5%
|
импорт Постоянные резисторы до 2 вт
|
700
|
0,06
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
MF-0,125-220 Ом 5% имп.резистор
|
0,40763888889
|
467
|
14,08
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
С2-29(MF-0.25) 620 кОм 1%
|
02 РЕЗИСТОРЫ - ПОСТОЯННЫЕ - С2-29-0.125 от 100шт
|
43400
|
0,07
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
С2-29(MF-0.25) 220 кОм 1%
|
03 РЕЗИСТОРЫ - ПОСТОЯННЫЕ - С2-29-0.125 от 100шт
|
210
|
0,07
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
МЛТ (MF-0.25-T) 620 Ом F
|
03 РЕЗИСТОРЫ - ПОСТОЯННЫЕ - С2-29-0.125 от 100шт
|
2050
|
0,05
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
C0805-Y5V-50в-2,2 мкФ-(+80-20)% (GRM21MF51H225ZA01L)
|
конденсатор SMD (Murata)
|
2568
|
1107,81
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
TSX-3225-16.0000MF09Z-AC3-16000,0 кГц (3.2x2.5x0.6mm) (2014г.)
|
(EPSON - MHz Range Crystal Unit Miniature Size Low Profile SMD)
|
791
|
2,43
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
LMX2325TMF (sop-20)
|
Микросхема (NS - Frequency Synthesizer for RF Personal Communications, 2.5GHz)
|
58
|
19,20
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
S25FL512SAGMFV011 (2012г.)
|
Микросхема (Spansion - IC FLASH 512Mbit CMOS SPI, so-16)
|
10
|
55,30
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
B37951K5105M62 50V 20% 1.0mF
|
б/г EPCOS б/уп
|
1112
|
1,21
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
B37951K5105M62 50V 20% 1.0mF
|
б/г EPCOS б/уп
|
|
1,21
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
1206 X7R-25V-4,7 mF 10% - (4.7 uF)
|
15 HOTTECH 2000
|
4000
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
MF-RX012/250-0 самовост. пред. 120мА 60В
|
б/г Bourns 500
|
654
|
1,51
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
1206 X7R-25V-4,7 mF 10% - (4.7 uF)
|
15 HOTTECH 2000
|
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
MF-RX012/250-0 самовост. пред. 120мА 60В
|
б/г Bourns 500
|
|
1,51
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
MF-0,125-200 ОМ-1% Резистор
|
YAGEO
|
1
|
0,30
|
26.09.2024 15:14:41
|
|
|
MF-0,25-200 ОМ-1% Резистор
|
|
7837
|
0,40
|
26.09.2024 15:14:41
|
|
|
MFR-0,25-20 КОМ-1% Резистор
|
|
5052
|
0,60
|
26.09.2024 15:14:41
|
|
|