|
MFR-25FBF52-51R (с2-33н-0,25-51 Ом-1%)
|
Yageo
|
30
|
0,06
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-12JT-52-1R (с2-33н-0,125-1 Ом-5%)
|
Yageo
|
835
|
0,06
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-25JT-52-1R (с2-33н-0,25-1 Ом-5%)
|
Yageo
|
500
|
0,06
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-25JT-52-1K5 (с2-33н-0,25-1,5кОм-5%)
|
Yageo
|
23
|
0,06
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-25JT-52-18K (с2-33н-0,25-18кОм-5%)
|
Yageo
|
989
|
0,06
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-25FBF52-160K (с2-33н-0,25-160кОм-1%)
|
Yageo
|
30
|
0,06
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-50FTF52-1R (с2-33н-0,5-1 Ом-1%)
|
Yageo
|
560
|
0,14
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-50FTF52-1R2 (с2-33н-0,5-1,2 Ом-1%)
|
Yageo
|
10
|
0,11
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-50JT-52-100R (с2-33н-0,5-100 Ом-5%)
|
Yageo
|
30
|
0,11
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-50JT-52-1K2 (с2-33н-0,5-1,2кОм-5%)
|
Yageo
|
485
|
0,11
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-50JT-52-12K (с2-33н-0,5-12кОм-5%)
|
Yageo
|
683
|
0,11
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-50JT-52-100K (с2-33н-0,5-100кОм-5%)
|
Yageo
|
1482
|
0,11
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-50JT-52-110K (с2-33н-0,5-110кОм-5%)
|
Yageo
|
100
|
0,11
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-50JT-52-1M (с2-33н-0,5-1МОм-5%)
|
Yageo
|
2450
|
0,11
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-50JT-52-1M2 (с2-33н-0,5-1,2МОм-5%)
|
Yageo
|
1000
|
0,11
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
MFR-0,5-1 Ом-5% (б/г.)
|
резистор (ШКАБ.434110.047ТУ
|
389
|
0,41
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
MFR-0,25-120 Ом-1% 50ppm (MFR-25FTF52-120R)
|
резистор (YAGEO - Metal Film Resistor)
|
3690
|
0,41
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
MFR-0,25-15 Ом-1% 50ppm (MFR-25FTE52-15R)
|
резистор (YAGEO - Metal Film Resistor)
|
5000
|
0,41
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
MFR-0,25-100 ОМ-5% Резистор
|
|
3
|
0,41
|
27.10.2026 15:05:48
|
|
|
|
MFR-0,5-100 ОМ-5% Резистор
|
YAGEO
|
2
|
0,71
|
27.10.2026 15:05:48
|
|
|
