|
IRLR024N
|
транзистор (IR - HEXFET®Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=17A) D-Pak)
|
311
|
2,44
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
Транзистор IRLR024N
|
|
500
|
5,02
|
28.10.2026 11:30:04
|
|
|
|
IRLR024ZPBF
|
IR DPAK
|
1
|
0,00
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRLR024NPBF TO-252 (RP)
|
2022 Транзисторы полевые Импорт
|
80
|
2,70
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRLR024NTRPBF
|
2023 Транзисторы полевые Импорт
|
1800
|
1,95
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRLR024N Транзистор
|
INFINEON
|
20
|
4,16
|
27.10.2026 15:05:48
|
|
|
|
IRLR024NPBF TO-252 (RP)
|
|
30
|
53,96
|
15.10.2026 14:29:29
|
|
|
|
IRLR024NTRPBF
|
|
550
|
38,82
|
15.10.2026 14:29:29
|
|
|
|
IRLR024N
|
DPAK / TO252 IR транзистор
|
26
|
8,13
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
IRLR024N транзисторы
|
IR TO252 (DPAK)
|
|
|
07.10.2026 10:08:55
|
|
|
|
IRLR024N
|
|
27
|
6,00
|
07.10.2026 9:46:51
|
|
|
|
Транзистор IRLR024N
|
International Rectifier более 500
|
|
6,06
|
11.08.2026 16:40:54
|
|
|
|
Транзистор полевой IRLR024NTRPBF
|
Infineon
|
34
|
3,72
|
20.07.2026 14:18:28
|
|
|
|
IRLR024Z
|
10
|
150
|
1,46
|
13.07.2026 13:14:54
|
|
|
|
IRLR024N
|
(IR - HEXFET®Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=17A) D-Pak)
|
311
|
2,44
|
13.07.2026 10:58:09
|
|
|
|
IRLR024N DPAK
|
IR
|
|
3,96
|
09.07.2026 12:38:13
|
|
|
|
IRLR024N транзисторы IR TO252 (DPAK)
|
|
|
|
14.04.2026 16:28:46
|
|
|
|
IRLR024N
|
|
38
|
6,48
|
02.04.2026 13:34:31
|
|
|
|
IRLR024ZPBF
|
|
1
|
0,01
|
02.04.2026 13:34:31
|
|
|
|
IRLR024NPBF TO-252 (RP)
|
Транзисторы полевые
|
675
|
2,53
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
