|
IRF7416
|
IR SO8
|
|
5,83
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
транзистор IRF7416 SO-8
|
0001 IR
|
12
|
2,21
|
20.01.2026 8:40:18
|
|
|
|
Транзистор IRF7416
|
|
50
|
7,05
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
IRF7416T
|
Транзисторы полевые
|
9050
|
1,28
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF7416TRPBF
|
Транзисторы полевые
|
2025
|
3,85
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF7416PBF (2011г.)
|
(IR - so-8, HEXFET® Power MOSFET, VDSS = -30V, RDS(on) = 0.02 Ohm) транзистор
|
3
|
2,21
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF7416PBF (2017г.)
|
(Infineon - so-8, HEXFET® Power MOSFET, VDSS=-30V, RDS(on)=0.02Ohm) транзистор
|
480
|
2,21
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF7416TRPBF (2013г.)
|
(IR - so-8, HEXFET® Power MOSFET, VDSS = -30V, RDS(on) = 0.02 Ohm) транзистор
|
388
|
2,21
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF7416TRPBF (2017г.)
|
(Infineon - so-8, HEXFET® Power MOSFET, VDSS=-30V, RDS(on)=0.02Ohm) транзистор
|
1101
|
2,21
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF7416
|
транзистор SO8 IR
|
28
|
9,05
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
IRF7416 транзисторы
|
IR SO8
|
|
|
16.01.2026 13:35:03
|
|
|
|
IRF 7416 ( SOIC)
|
|
69
|
|
16.01.2026 13:27:45
|
|
|
|
транз IRF7416 \P\ 2,5\SO-8-150-1.27\
|
Транзисторы
|
16
|
16,33
|
16.01.2026 13:23:32
|
|
|
|
IRF7416 International Rectifier
|
транзистор
|
12
|
7,42
|
16.01.2026 13:21:47
|
|
|
|
IRF7416PBF Транзистор
|
|
3
|
|
16.01.2026 12:28:04
|
|
|
|
IRF7416
|
IR SO8
|
|
5,03
|
02.10.2025 12:41:39
|
|
|
|
IRF7416T
|
ТРАНЗИСТОРЫ
|
1750
|
1,56
|
20.01.2025 11:12:37
|
|
|
|
IRF7416TRPBF
|
ТРАНЗИСТОРЫ
|
2575
|
4,71
|
20.01.2025 11:12:37
|
|
|
|
IRF7416
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
IRF7416
|
VISH/IR
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
