|
IRF640N (2001г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB)
|
1237
|
4,88
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
IRF640N (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB)
|
372
|
5,59
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
IRF640NS (2005г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), D2Pak)
|
599
|
3,05
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
Транзистор КП767В IRF640N
|
|
100
|
6,44
|
28.10.2026 11:30:04
|
|
|
|
Транзистор IRF640N
|
|
100
|
6,44
|
28.10.2026 11:30:04
|
|
|
|
IRF640N (JSMSEMI)
|
2025 Транзисторы полевые Импорт
|
1080
|
3,06
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF640NPBF
|
2025 Транзисторы полевые Импорт
|
378
|
2,26
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF640NSTRLPBF
|
2022 Транзисторы полевые Импорт
|
988
|
5,09
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF640NPBF MOSFET N-Ch 200V 18A
|
9 IR TO-220
|
184
|
2,03
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF640NPBF MOSFET N-Ch 200V 18A
|
IR TO-220AB
|
5266
|
2,03
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF640NS (F640NS)
|
1 IR D2PAK 50
|
7761
|
2,54
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF640N (JSMSEMI)
|
|
580
|
61,10
|
15.10.2026 14:29:29
|
|
|
|
IRF640NPBF
|
|
3000
|
49,91
|
15.10.2026 14:29:29
|
|
|
|
IRF640NSTRLPBF
|
|
988
|
101,51
|
15.10.2026 14:29:29
|
|
|
|
IRF640N
|
TO220 IR транзистор
|
213
|
12,70
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
IRF640NS
|
F640NS D2PAK / TO263 IR транзистор
|
107
|
16,25
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
IRF 640N TO-220
|
Infineon
|
|
|
14.10.2026 11:22:22
|
|
|
|
IRF640N
|
00г01г To220
|
1
|
2,03
|
08.10.2026 13:32:16
|
|
|
|
IRF640N TO-220AB
|
|
15
|
|
08.10.2026 12:36:14
|
|
|
|
IRF640N TO-220AB
|
|
18
|
|
08.10.2026 12:36:14
|
|
|
