|
IRF640
|
CHINA TO220
|
|
4,32
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
IRF640N
|
IR TO220
|
|
5,53
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
Транзистор IRF640 КП750А
|
|
10
|
16,56
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор IRF640N
|
|
100
|
6,38
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор IRF640S КП750А1
|
|
10
|
15,03
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор КП767В IRF640N
|
|
100
|
6,38
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
IRF640 TO-220
|
Infineon
|
63
|
5,73
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
IRF640N (КП 750 А)
|
24 ИМПОРТ - ПОЛУПРОВОДНИКИ Имп - Транзисторы Имп
|
13
|
5,03
|
16.01.2026 14:31:32
|
|
|
|
IRF640N (JSMSEMI)
|
Транзисторы полевые
|
1348
|
2,59
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF640NPBF
|
Транзисторы полевые
|
4950
|
1,65
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF640NSTRLPBF
|
Транзисторы полевые
|
1163
|
3,87
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF640N (2001г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB) транзистор
|
1237
|
4,83
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF640N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB) транзистор
|
372
|
5,53
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF640NS (2005г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), D2Pak) транзистор
|
599
|
3,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF640S
|
IR D2 PAK
|
227
|
4,52
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF640N
|
IR ТО-220
|
49
|
2,82
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF640NPBF MOSFET N-Ch 200V 18A
|
IR TO-220AB
|
5366
|
2,82
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF640NS (F640NS)
|
1 IR D2PAK
50
|
7896
|
2,51
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF640S
|
Vishay D2PAK
|
5
|
4,52
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF640N
|
транзистор TO220 IR
|
226
|
12,57
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
