|
IRF540N
|
IR TO220
|
|
6,54
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
IRF540NSTRRPBF
|
IR TO-263-3
|
|
12,27
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
Транзистор IRF540N
|
|
500
|
7,73
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор КП746А IRF540N
|
|
500
|
7,73
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор КП769В IRF540N
|
|
500
|
7,73
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
IRF 540 N
|
б/г
|
24
|
3,02
|
16.01.2026 14:40:54
|
|
|
|
IRF540N TO-220
|
Infineon
|
49
|
4,02
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
IRF540NPBF
|
Транзисторы полевые
|
3000
|
1,94
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF540NS
|
Транзисторы полевые
|
370
|
3,91
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF540NSTRLPBF
|
Транзисторы полевые
|
975
|
3,71
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF540N (2005г.)
|
(IR - HEXFET®PowerMOSFET, Vdss=100V, Rds(on)=0.077Ohm, Id=28A,TO220AB) транзистор
|
822
|
4,32
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF540N (2007г.)
|
(IR - HEXFET®PowerMOSFET, Vdss=100V, Rds(on)=0.077Ohm, Id=28A,TO220AB) транзистор
|
11
|
4,52
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF540NPBF
|
IR ТО-220АВ
|
250
|
2,51
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF540NPBF
|
17 IR ТО-220АВ
|
342
|
2,51
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF540NS
|
14 IR P2PAK
|
7
|
3,52
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF540N Транзистор
|
IR
|
31
|
3,52
|
16.01.2026 14:12:25
|
|
|
|
IRF540N
|
транзистор TO220 Infineon
|
16
|
11,56
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
IRF540N
|
транзистор TO220 IR
|
53
|
12,07
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
IRF540NS
|
транзистор F540NS D2PAK / TO263 IR
|
66
|
16,09
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
IRF540_ (N)
|
TO-220 N-Channel 28A 100V 150W
|
+
|
9,35
|
16.01.2026 14:01:09
|
|
|
