|
IRF530N
|
IR TO220
|
|
6,23
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
IRF530N
|
Транзисторы полевые
|
1995
|
2,11
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF530NPBF
|
Транзисторы полевые
|
1300
|
3,09
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF530NS
|
Транзисторы полевые
|
1500
|
3,88
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF530N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A,TO-220AB) транзистор
|
21
|
4,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF530NPBF MOSFET N-Ch 100V 17A
|
7 IR
|
50
|
3,02
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-Ch 100V 17A
|
5 IR TO-220
|
3103
|
3,02
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-Ch 100V 17A
|
ST ТО-220
|
71
|
2,82
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
IRF530N
|
транзистор TO220 IR
|
98
|
12,07
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
IRF530N
|
TO-220 N-Channel TrenchMOS transistor VDSS=100V_Id=17 A_RDS(ON) = 110mOm
|
+
|
5,73
|
16.01.2026 14:01:09
|
|
|
|
IRF530 N транзисторы
|
Vishay/IR TO220
|
|
|
16.01.2026 13:35:03
|
|
|
|
IRF530 N транзисторы
|
INFINEON TO220
|
|
|
16.01.2026 13:35:03
|
|
|
|
транз IRF530NPBF \N\63\TO-220\IR
|
(IRF530N) Транзисторы
|
100
|
14,85
|
16.01.2026 13:23:32
|
|
|
|
IRF530N International Rectifier
|
транзистор
|
10
|
23,76
|
16.01.2026 13:21:47
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-CH 100V 17A
|
|
2327
|
|
16.01.2026 12:28:04
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-CH 100V 17A
|
|
53
|
|
16.01.2026 12:28:04
|
|
|
|
IRF530NPBF MOSFET N-CH 100V 17A
|
|
38
|
|
16.01.2026 12:28:04
|
|
|
|
IRF530NS D2PAK
|
|
48
|
|
30.10.2025 11:12:40
|
|
|
|
Транзисторы/Транзисторы
IRF530N
|
Код 75071 TO220AB Infineon Technologies
|
19
|
9,53
|
09.10.2025 12:27:35
|
|
|
|
IRF530N
|
IR TO220
|
|
8,24
|
02.10.2025 12:41:39
|
|
|
