|
IRF5305 TO-220AB
|
Jsmsemi
|
50
|
3,56
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
IRF5305PBF TO-220AB
|
Infineon
|
40
|
4,57
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
IRF5305S TO-263-3
|
IR
|
2
|
5,08
|
02.11.2026 15:56:10
|
|
|
|
IRF530
|
транзистор (STM- N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, TO-220AB)
|
3
|
4,06
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
IRF530 (98г.)
|
транзистор (MSC- N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, TO-220AB)
|
3
|
3,56
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
IRF5305P (2023г.)
|
транзистор (IR - HEXFET® Power MOSFET, P, -55V, -31A, TO-220AB)
|
30
|
6,60
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
IRF530N (2008г.)
|
транзистор (IR - Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A,TO-220AB)
|
21
|
4,06
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
Транзистор КП745А IRF530
|
|
100
|
5,33
|
28.10.2026 11:30:04
|
|
|
|
Транзистор КП769Б IRF530
|
|
100
|
5,33
|
28.10.2026 11:30:04
|
|
|
|
Транзистор IRF530
|
|
100
|
5,33
|
28.10.2026 11:30:04
|
|
|
|
Транзистор IRF5305
|
|
10
|
9,98
|
28.10.2026 11:30:04
|
|
|
|
IRF530NPBF MOSFET N-Ch 100V 17A
|
7 IR
|
50
|
3,05
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF5305
|
2024 Транзисторы полевые Импорт
|
1150
|
4,26
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF5305PBF
|
2024 Транзисторы полевые Импорт
|
820
|
5,74
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF5305S
|
2024 Транзисторы полевые Импорт
|
634
|
4,50
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF530N
|
2024 Транзисторы полевые Импорт
|
550
|
2,31
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF530NPBF
|
2022 Транзисторы полевые Импорт
|
1025
|
3,65
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF530NS
|
2024 Транзисторы полевые Импорт
|
1500
|
4,25
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-Ch 100V 17A
|
5 IR TO-220
|
3093
|
3,05
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF530N MOSFET N-Ch 100V 17A
|
STM TO-220
|
41
|
2,84
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
