|
IRF530
|
VISH/IR TO-220AB
|
|
11,66
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
IRF5305
|
IR TO220AB
|
|
11,16
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
IRF530N
|
IR TO220
|
|
6,23
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
Транзистор IRF530
|
|
100
|
5,27
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор IRF5305
|
|
10
|
9,87
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор КП745А IRF530
|
|
100
|
5,27
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор КП769Б IRF530
|
|
100
|
5,27
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
IRF5305 TO-220AB
|
2024
|
50
|
3,52
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
IRF5305PBF TO-220AB
|
Infineon
|
40
|
4,93
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
IRF5305S TO-263-3
|
IR
|
2
|
7,04
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
IRF5305S
|
8 ИМПОРТ - ПОЛУПРОВОДНИКИ Имп - Транзисторы Имп
|
2
|
7,24
|
16.01.2026 14:31:32
|
|
|
|
IRF5305
|
Транзисторы полевые
|
250
|
3,29
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF5305PBF
|
Транзисторы полевые
|
940
|
4,86
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF5305S
|
Транзисторы полевые
|
634
|
4,11
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF530N
|
Транзисторы полевые
|
1995
|
2,11
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF530NPBF
|
Транзисторы полевые
|
1300
|
3,09
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF530NS
|
Транзисторы полевые
|
1500
|
3,88
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF530
|
(STM- N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, TO-220AB) транзистор
|
22
|
4,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF530 (98г.)
|
(MSC- N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR, TO-220AB) транзистор
|
3
|
3,52
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF5305P (2023г.)
|
(IR - HEXFET® Power MOSFET, P, -55V, -31A, TO-220AB) транзистор
|
30
|
6,54
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
