|
IRF640
|
CHINA TO220
|
|
4,32
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
IRF640N
|
IR TO220
|
|
5,53
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
IRF9640
|
IR TO220
|
|
9,25
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
IRF9640SPBF
|
VISH/IR TO-263 (D2PAK)
|
|
18,20
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
Транзистор IRF640 КП750А
|
|
10
|
16,56
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор IRF640N
|
|
100
|
6,38
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор IRF640S КП750А1
|
|
10
|
15,03
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Транзистор КП767В IRF640N
|
|
100
|
6,38
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
IRF640 TO-220
|
Infineon
|
63
|
5,73
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
IRF9640 TO-220AB
|
VISHAY
|
21
|
7,04
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
IRF9640PBF
|
|
1
|
90,49
|
16.01.2026 14:32:35
|
|
|
|
IRF640N (КП 750 А)
|
24 ИМПОРТ - ПОЛУПРОВОДНИКИ Имп - Транзисторы Имп
|
13
|
5,03
|
16.01.2026 14:31:32
|
|
|
|
IRF640N (JSMSEMI)
|
Транзисторы полевые
|
1348
|
2,59
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF640NPBF
|
Транзисторы полевые
|
4950
|
1,65
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF640NSTRLPBF
|
Транзисторы полевые
|
1163
|
3,87
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF9640
|
Транзисторы полевые
|
915
|
3,76
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
IRF640N (2001г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB) транзистор
|
1237
|
4,83
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF640N (2008г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), TO220AB) транзистор
|
372
|
5,53
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF640NS (2005г.)
|
(IR - Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A), D2Pak) транзистор
|
599
|
3,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
IRF9640
|
(Siliconix - 11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs, TO-220) транзистор
|
2
|
4,02
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
