|
Транзистор IRF9540N
|
International Rectifier менее 500
|
|
9,79
|
11.08.2026 16:40:54
|
|
|
|
Транзистор IRF540N
|
International Rectifier более 500
|
|
9,42
|
11.08.2026 16:40:54
|
|
|
|
Транзистор IRF540S КП746А1
|
2002,Интеграл менее 10
|
|
13,46
|
11.08.2026 16:40:54
|
|
|
|
Транзистор КП746А IRF540N
|
International Rectifier более 500
|
|
9,42
|
11.08.2026 16:40:54
|
|
|
|
Транзистор КП769В IRF540N
|
International Rectifier более 500
|
|
9,42
|
11.08.2026 16:40:54
|
|
|
|
Транзистор IRF540NPBF
|
Infineon
|
8
|
1,78
|
20.07.2026 14:18:28
|
|
|
|
Силовой транзистор IRF540NS
|
EVVO
|
30
|
1,52
|
20.07.2026 14:18:28
|
|
|
|
Транзистор IRF540SPBF
|
Китай
|
10
|
13,26
|
20.07.2026 14:18:28
|
|
|
|
IRF 540 N
|
|
24
|
1,52
|
13.07.2026 13:47:08
|
|
|
|
IRF540N (2005г.)
|
(IR - HEXFET®PowerMOSFET, Vdss=100V, Rds(on)=0.077Ohm, Id=28A,TO220AB)
|
820
|
4,37
|
13.07.2026 10:58:09
|
|
|
|
IRF540N (2007г.)
|
(IR - HEXFET®PowerMOSFET, Vdss=100V, Rds(on)=0.077Ohm, Id=28A,TO220AB)
|
11
|
4,57
|
13.07.2026 10:58:09
|
|
|
|
IRF9540N (2007г.)
|
(IR- Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=23A), TO-220AB)
|
2
|
4,06
|
13.07.2026 10:58:09
|
|
|
|
Транзистор КП746А IRF540N
|
|
500
|
7,81
|
13.07.2026 10:55:11
|
|
|
|
Транзистор КП769В IRF540N
|
|
500
|
7,81
|
13.07.2026 10:55:11
|
|
|
|
Транзистор IRF540N
|
|
500
|
7,81
|
13.07.2026 10:55:11
|
|
|
|
Транзистор IRF540S КП746А1
|
|
10
|
11,15
|
13.07.2026 10:55:11
|
|
|
|
Транзистор IRF9540N
|
|
500
|
8,12
|
13.07.2026 10:55:11
|
|
|
|
`IRF540NPBF
|
2023 Infineon Technologies
|
3000
|
1,93
|
10.07.2026 12:34:44
|
|
|
|
`IRF540NS
|
2024 SLKOR
|
370
|
3,89
|
10.07.2026 12:34:44
|
|
|
|
`IRF540NSTRLPBF
|
2023 Infineon Technologies
|
200
|
3,69
|
10.07.2026 12:34:44
|
|
|
