|
HUF75545S Fairchild
|
|
19
|
10,85
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
STP140NF75 STMicroelectronics
|
|
1
|
15,68
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
RC2012-F-75 кОм 1% (chip 0805) RoyalOhm
|
|
3930
|
0,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
RC3216-F-75 кОм 1% (chip 1206) RoyalOhm
|
|
4790
|
0,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
наконечник трубчатый F(7,5) L(15) C(1,5) W(5)
|
ОТК бг ОРАНЖЕВЫЕ Н.уп.:
|
500
|
0,60
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
|
IRF7523D1
|
05 ИМПОРТ - ПОЛУПРОВОДНИКИ Имп - Транзисторы Имп
|
11
|
13,27
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
|
STP75NF75
|
|
4800
|
5,51
|
26.09.2024 15:40:20
|
|
|
|
U-235NND (HYR-0609) (GU-609) (UHF-7512K)
|
Разъёмы (UHF мама на блок, гайка, корпус Ni, центр. конт. Ni,изолятор бакелит)
|
134
|
8,85
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
|
1206 75 кОм 1% (RC3216F753CS
|
б/г Samsung 5000
|
75000
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
HUF75329SS3, 42A/55V25мОм
|
б/г Semicond б/уп
|
9
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
HUF75652G (MOSFET N-Ch 100V 75A)
|
б/г Fairchild б/уп
|
26
|
15,08
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
HUF75652G3 (MOSFET N-Ch 100V 75A)
|
б/г Fairchild ТО-247 лин., б/уп
|
139
|
15,08
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1206 75 кОм 1% (RC3216F753CS
|
б/г Samsung 5000
|
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
HUF75329SS3, 42A/55V25мОм
|
б/г Semicond б/уп
|
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
HUF75645P3 MOSFET N-Ch 75A 100V
|
б/г Fairchild ТО-220 лин.50
|
|
16,09
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
HUF75652G (MOSFET N-Ch 100V 75A)
|
б/г Fairchild б/уп
|
|
15,08
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
HUF75652G3 (MOSFET N-Ch 100V 75A)
|
б/г Fairchild ТО-247 лин., б/уп
|
|
15,08
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
F75-3-2,5 ОМ-1% Резистор
|
|
516
|
2,21
|
26.09.2024 15:14:41
|
|
|
|
1206F750JT5E-1206-75 ОМ-1% ЧИП резистор
|
ROYAL OHM
|
4936
|
0,20
|
26.09.2024 15:14:41
|
|
|
|
CR0805F750RP05-0805-750 ОМ-1% ЧИП резистор
|
Faithful Link
|
4799
|
0,30
|
26.09.2024 15:14:41
|
|
|
