|
Транзистор BSS123
|
|
500
|
4634,64
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
BSS123-7-F
|
б/г
|
2320
|
0,10
|
16.01.2026 14:40:54
|
|
|
|
BSS123
|
Транзисторы полевые
|
8500
|
0,17
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
BSS123 (HXY)
|
Транзисторы полевые
|
29700
|
0,09
|
16.01.2026 14:26:41
|
|
|
|
BSS123 (Fairchild) (2011г.)
|
(N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor sot23) транзистор
|
239
|
0,50
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
BSS123
|
Fairchild SOT-23
3000
|
691
|
0,35
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
BSS123LT1G
|
ON SOT-23
|
279
|
0,35
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
BSS123.215
|
транзистор SA* SOT23 NXP
|
76
|
2,01
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
bss123l
|
Fairchild Semiconductor
|
1
|
1,01
|
16.01.2026 13:56:45
|
|
|
|
bss123
|
Fairchild Semiconductor
|
4
|
1,01
|
16.01.2026 13:56:45
|
|
|
|
транз BSS123-7-F \N\0,3\SOT-23\
|
полевой Транзисторы
|
107
|
1,48
|
16.01.2026 13:23:32
|
|
|
|
транз BSS123.215NXP \N\0,36\SOT-23\PH
|
полевой Транзисторы
|
76
|
2,97
|
16.01.2026 13:23:32
|
|
|
|
BSS123
|
|
518
|
|
16.01.2026 12:28:04
|
|
|
|
BSS123LT1G
|
|
247
|
|
16.01.2026 12:28:04
|
|
|
|
BSS123
|
|
20
|
|
30.10.2025 11:12:40
|
|
|
|
Транзисторы/Транзисторы
BSS123 INF
|
Код 58767 SOT23 Infineon Technologies
|
8
|
1,47
|
09.10.2025 12:27:35
|
|
|
|
Транзисторы/Транзисторы
BSS123 YJ
|
Код 149993 SOT-23 SUNCO (YJ)
|
200
|
0,49
|
09.10.2025 12:27:35
|
|
|
|
BSS123
|
ТРАНЗИСТОРЫ
|
2000
|
0,20
|
20.01.2025 11:12:37
|
|
|
|
BSS123 (HXY)
|
ТРАНЗИСТОРЫ
|
1300
|
0,14
|
20.01.2025 11:12:37
|
|
|
|
BSS 123 MOSFET SOT-23
|
NXP
|
|
|
20.01.2025 10:53:11
|
|
|
