MT29F8G08ABADAH4 (VFBGA-63) Micron, микросхема
|
Импорт
|
35
|
150,82
|
29.10.2024 11:17:09
|
|
|
2SD2634 Toshiba
|
|
5
|
6,27
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
TA8637BP Toshiba
|
|
2
|
3,92
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
TD6360N-04 Toshiba
|
|
2
|
39,20
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
TDA8263BHQ Toshiba
|
|
2
|
54,88
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
BAR64-03W-E6327
|
|
100
|
2,61
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
Предохранитель C632 0,4А (6,3 х 32) (189020.0,4 SIBA) керамика
|
|
4
|
33,97
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
Предохранитель C632 1,6А (6,3 х 32) (189020.1,6 SIBA) керамика
|
|
2
|
13,07
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
BES 516-325-BO-L Sn=2mm 10-30V DC 200mA BALLUFF
|
бг Н.уп.:
|
1
|
|
26.09.2024 15:46:13
|
|
|
TECAP 22/6.3v B 20 TCSCS0J226MBAR
|
Samsung Чип танталовые конденсаторы
|
1879
|
0,65
|
26.09.2024 15:44:21
|
|
|
BAS79D-E6327 SIEMENS диод
|
1,1840277778
|
1705
|
11,06
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
BA6395AFP
|
03 ИМПОРТ - Микросхемы Имп HSOP-28
|
3
|
38,61
|
26.09.2024 15:42:10
|
|
|
BAT60AE6327HTSA1
|
|
6000
|
1,36
|
26.09.2024 15:40:20
|
|
|
MBA63-46
|
|
21
|
300,65
|
26.09.2024 15:40:20
|
|
|
BA6303 (dip-16)
|
Микросхема (C1/03)
|
2
|
5,33
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
BAR63-03W-E6327 (2007г.)
|
Диод (Infineon - Silicon PIN Diode, SOD323)
|
1162
|
1848,43
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
BAR64-03W-E6327 (2006г.)
|
Диод (Infineon - Silicon PIN Diode, SOD323)
|
2890
|
1848,43
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
BAR64-03W-E6327
|
15 Infineon SOD-323
|
1088
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
BAR64-03W-E6327
|
15 Infineon SOD-323
|
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
ECAP 470/6.3V 0611 (EHR471MOJBA)
|
15 HITANO 1000
|
9218
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|