|
P3329H-100 Ом 10% (аналог СП3-19А) Barons
|
|
12
|
5,23
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\ 7x7x5\3362P\BARONS
|
10%\300В\240град\(P104)[3362P104 Подстроечные резисторы
|
120
|
6,03
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\ 7x7x5\3362P\BARONS
|
пл\10%\300В\240град\[3362P104] Подстроечные резисторы
|
1
|
6,03
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\ 7x7x6\3323P\BARONS
|
10%\300В\270град\[3323P104] Подстроечные резисторы
|
221
|
5,03
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\10x10x5\3386P\BARONS
|
пл\10%\300В\270град\[3386H104] Подстроечные резисторы
|
84
|
6,03
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\10x5x10\3386W\BARONS
|
пл\10%\300В\270град\[63S] Подстроечные резисторы
|
398
|
6,03
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
РПодстр 100к\270град\3P/плат\3386P BAR
|
(P104) Подстроечные резисторы
|
200
|
6,03
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
|
MG100J1BS11 2-33F1A TOSHIBA IGBT модули TOSHIBA
|
|
95
|
|
26.09.2024 14:46:32
|
|
|
|
BA-100-33
|
TREC
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
BA-100-3.3
|
TREC
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
330пф X7R 50в 10% (0805) Чип.кер.конд SAMSUNG CL21B331KBANNNС
|
н/у 4000 SAMSUNG CL21B331KBANNNС Аналог CERCAP 330p/50v 0805 X7R
|
20000
|
0,02
|
22.08.2016 13:04:25
|
|
|
|
3300пф X7R 50в 10% (0805) Чип.кер.конд SAMSUNG CL21B332KBANNNС
|
н/у 4000 SAMSUNG CL21B332KBANNNС Аналог CERCAP 3300p/50v 0805 X7R
|
36000
|
0,02
|
22.08.2016 13:04:25
|
|
|
|
0,033мкф X7R 50в 10% (0805) Чип.кер.конд SAMSUNG CL21B333KBANNNС
|
н/у 4000 SAMSUNG CL21B333KBANNNС Аналог CERCAP 0.033/50v 0805 X7R
|
8000
|
0,03
|
22.08.2016 13:04:25
|
|
|
