|
P3329H-100 Ом 10% (аналог СП3-19А) Barons
|
|
11
|
4,06
|
06.07.2026 15:46:29
|
|
|
|
РПодстр 100 \ 0,5\ 7x 7x5\h 0\\ 1\3362P\BARONS
|
10%\300В\\ДО 30 мН*м\ Подстроечные резисторы
|
33
|
6,30
|
06.07.2026 11:10:46
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\ 7x 7x5\h 0\\ 1\3362P\BARONS
|
10%\300В\\ДО 30 мН*м\ Подстроечные резисторы
|
1
|
8,53
|
06.07.2026 11:10:46
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\ 7x7x5\3362P\BARONS
|
10%\300В\240град\(P104)[3362P104 Подстроечные резисторы
|
120
|
8,53
|
06.07.2026 11:10:46
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\ 7x 7x6\h 0\\ 1\3323P\BARONS
|
10%\300В\\3~35 мН*м\ Подстроечные резисторы
|
219
|
5,59
|
06.07.2026 11:10:46
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\10x 5x10\h 0\\ 1\3386H\BARONS
|
10%\300В\\ДО 35 мН*м\ Подстроечные резисторы
|
498
|
8,53
|
06.07.2026 11:10:46
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\10x10x5\h 0\\ 1\3386P\BARONS
|
10%\300В\\ДО 35 мН*м\ Подстроечные резисторы
|
80
|
8,53
|
06.07.2026 11:10:46
|
|
|
|
РПодстр 100к\ 0,5\10x5x10\3386W\BARONS
|
пл\10%\300В\270град\[63S] Подстроечные резисторы
|
378
|
8,53
|
06.07.2026 11:10:46
|
|
|
|
РПодстр 100к\270град\3P/плат\3386P BAR
|
(P104) Подстроечные резисторы
|
200
|
8,53
|
06.07.2026 11:10:46
|
|
|
|
MG100J1BS11 (Модуль IGBT) TOSHIBA 2-33F1A
|
|
|
|
14.04.2026 16:28:46
|
|
|
|
BA-100-33
|
TREC
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
BA-100-3.3
|
TREC
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
330пф X7R 50в 10% (0805) Чип.кер.конд SAMSUNG CL21B331KBANNNС
|
н/у 4000 SAMSUNG CL21B331KBANNNС Аналог CERCAP 330p/50v 0805 X7R
|
20000
|
0,02
|
22.08.2016 13:04:25
|
|
|
|
3300пф X7R 50в 10% (0805) Чип.кер.конд SAMSUNG CL21B332KBANNNС
|
н/у 4000 SAMSUNG CL21B332KBANNNС Аналог CERCAP 3300p/50v 0805 X7R
|
36000
|
0,02
|
22.08.2016 13:04:25
|
|
|
|
0,033мкф X7R 50в 10% (0805) Чип.кер.конд SAMSUNG CL21B333KBANNNС
|
н/у 4000 SAMSUNG CL21B333KBANNNС Аналог CERCAP 0.033/50v 0805 X7R
|
8000
|
0,03
|
22.08.2016 13:04:25
|
|
|
