|
IRF9540N (2007г.)
|
транзистор (IR- Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=23A), TO-220AB)
|
2
|
4,06
|
28.10.2026 12:25:44
|
|
|
|
ТА95-40-400В
|
2003 5,упак.
|
1
|
|
28.10.2026 11:38:12
|
|
|
|
ТА95-40-400В
|
86 5,упак.
|
3
|
|
28.10.2026 11:38:12
|
|
|
|
ТП95-40-1000В
|
90 5,упак.
|
105
|
|
28.10.2026 11:38:12
|
|
|
|
ТПП95-40-1000В
|
89 5,упак. без этик.
|
30
|
|
28.10.2026 11:38:12
|
|
|
|
ТПП95-40-1000В
|
89 5,упак.
|
133
|
|
28.10.2026 11:38:12
|
|
|
|
Транзистор IRF9540N
|
|
500
|
8,12
|
28.10.2026 11:30:04
|
|
|
|
SY89540UMY
|
14 Microchip QFN-44
|
29
|
0,00
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF9540
|
2024 Транзисторы полевые Импорт
|
175
|
3,77
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF9540NPBF
|
2025 Транзисторы полевые Импорт
|
650
|
2,33
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
Д19-5; 40В-2А 5
|
90 Стрела 8
|
2
|
60,94
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
IRF9540
|
|
100
|
65,74
|
15.10.2026 14:29:29
|
|
|
|
IRF9540N
|
TO220 EVVO транзистор
|
33
|
12,19
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
IRF9540N
|
TO220 IR транзистор
|
94
|
14,22
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
IRF9540S
|
D2PAK / TO263 IR транзистор
|
106
|
17,78
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
IRF9540NS
|
D2PAK / TO263 IR транзистор
|
78
|
16,25
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
C69540Y
|
SDIP54 Samsung SIM-135-2R микросхема
|
5
|
197,56
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
IRF 9540N TO-220
|
Infineon
|
|
|
14.10.2026 11:22:22
|
|
|
|
IRF9540 TO-220AB
|
|
10
|
|
08.10.2026 12:36:14
|
|
|
|
IRF9540 ( to-92 )
|
*
|
6
|
2,19
|
08.10.2026 12:34:12
|
|
|
