|
Г25930-83 М18х1 внутр.рез.пл.крыш
|
00:5
|
5
|
15,24
|
02.11.2026 15:52:41
|
|
|
|
Г25930-83 М24х1,5 внутр.рез.пл.крыш
|
00:90
|
90
|
15,24
|
02.11.2026 15:52:41
|
|
|
|
Г25930-83 М30х1,5 внутр.рез.пл.крыш
|
00:16
|
16
|
15,24
|
02.11.2026 15:52:41
|
|
|
|
Г25930-83 М33х1,5 внутр.рез.пл.крыш
|
00:47
|
47
|
15,24
|
02.11.2026 15:52:41
|
|
|
|
К1-4АМ-9830,4кГц 5 (93-04г.)
|
93:26, 04:35
|
61
|
2,03
|
02.11.2026 15:52:41
|
|
|
|
РГ05-93008кГц (85г.)
|
НУ:1
|
1
|
6,09
|
02.11.2026 15:52:41
|
|
|
|
С2-29В-0,125-22,3кОм0,1% 5 (93,01г)
|
93:80, 01:550
|
630
|
2,03
|
02.11.2026 15:52:41
|
|
|
|
С1-4-0,125-24 Ом 5% (93-08г.)
|
93:999, 08:9999
|
77000
|
1,02
|
02.11.2026 15:52:41
|
|
|
|
С2-33Н-0,25-240 кОм 5%(93,06гг)
|
93:935, 06:80
|
1015
|
2,03
|
02.11.2026 15:52:41
|
|
|
|
5х6,5х13,5 МГС-7 ТЭ5.593.004 к 2Д-7П
|
|
40
|
20,31
|
28.10.2026 11:33:12
|
|
|
|
Микросхема TDA5930
|
|
10
|
49,88
|
28.10.2026 11:30:04
|
|
|
|
СДК-Л 525-9-30
|
Китай
|
10
|
3,56
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
B59300M1180A070 терморезистор
|
Epcos 200
|
178
|
8,63
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
TDA5930-5
|
DIP16 Siemens микросхема
|
1
|
81,26
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
TDA5930
|
DIP16 Siemens микросхема
|
2
|
197,56
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
APL5930
|
SO8-150 Anpec микросхема
|
30
|
12,70
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
BA5930FP
|
HSOP28 Rohm микросхема
|
17
|
63,48
|
14.10.2026 12:14:57
|
|
|
|
2Вт 220 Ом 5% Резистор (RMOE220) PO593-05T
|
|
5800
|
|
08.10.2026 12:48:12
|
|
|
|
AD5930YRUZ
|
Микросхема США
|
1
|
|
08.10.2026 12:37:38
|
|
|
|
APL5930
|
ANPEC SO8
|
|
|
07.10.2026 10:08:55
|
|
|
