|
Стабилитрон 1SMB5930BT3
|
Китай
|
5000
|
0,32
|
20.07.2026 14:18:28
|
|
|
|
Диод 1SMA5930B
|
LGE electronic technology
|
3605
|
0,84
|
20.07.2026 14:18:28
|
|
|
|
593-022-18
|
переходник
|
17
|
|
15.07.2026 12:46:53
|
|
|
|
593-052-24
|
переходник
|
4
|
|
15.07.2026 12:46:53
|
|
|
|
ТВО-0,5 930Ом
|
Резистор
|
1
|
|
15.07.2026 12:46:53
|
|
|
|
5930
|
1/4W
|
|
0,02
|
13.07.2026 13:29:12
|
|
|
|
Г25930-83 М18х1 внутр.рез.пл.крыш
|
30.12.1899 0:05:00
|
5
|
15,08
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
Г25930-83 М24х1,5 внутр.рез.пл.крыш
|
30.12.1899 1:30:00
|
90
|
15,08
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
Г25930-83 М30х1,5 внутр.рез.пл.крыш
|
30.12.1899 0:16:00
|
16
|
15,08
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
Г25930-83 М33х1,5 внутр.рез.пл.крыш
|
30.12.1899 0:47:00
|
47
|
15,08
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
К1-4АМ-9830,4кГц 5 (93-04г.)
|
03.01.1900 21:26:04
|
61
|
2,01
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
РГ05-93008кГц (85г.)
|
|
1
|
6,03
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
С2-33Н-0,25-240 кОм 5%(93,06гг)
|
|
1015
|
2,01
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
С2-33Н-0,25-91кОм 5% (93-04г.)
|
|
3117
|
2,01
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
С2-33Н-0,5-300 Ом 5% (93-04г.)
|
|
396
|
2,01
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
С2-29В-0,125-22,3кОм0,1% 5 (93,01г)
|
|
630
|
2,01
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
С1-4-0,125-24 Ом 5% (93-08г.)
|
|
77000
|
1,01
|
13.07.2026 13:24:10
|
|
|
|
5х6,5х13,5 МГС-7 ТЭ5.593.004 к 2Д-7П
|
|
40
|
20,11
|
13.07.2026 11:29:01
|
|
|
|
Микросхема TDA5930
|
|
10
|
49,37
|
13.07.2026 10:55:11
|
|
|
|
B59300M1180A070 терморезистор
|
EPCOS 200
|
178
|
8,55
|
10.07.2026 12:32:33
|
|
|
