|
FDD5614P
|
TO-252 (D-PAK) P-Channel -5A -60V 42W
|
|
3,52
|
22.01.2025 12:42:28
|
|
|
|
ЕФ3.656.149
|
30.12.1899 0:01:00
|
1
|
216,17
|
20.01.2025 13:02:47
|
|
|
|
СР75-614ФВ
|
Высокочастотные разъемы
|
4
|
26,63
|
20.01.2025 12:51:39
|
|
|
|
СР75-614ФВ
|
Высокочастотные разъемы
|
4
|
26,63
|
20.01.2025 12:51:39
|
|
|
|
рг-05-6144,0 кГц (83г.)
|
-5
|
1
|
1,06
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
рг-05-6144,0 кГц (85г.)
|
-5
|
1
|
1,16
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
UCC5614PWP (2012г.)
|
Микросхема (TI - 9-Line 3 to 5V Low Capacitance SCSI Active Terminator, tssop-24)
|
42
|
19,07
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
К50-68 63В 22 мкФ 20% В 5 6*14
|
Элеконд Стандартные
|
3
|
2,51
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
|
К50-68 63В 22 мкФ 20% И-В 5 6*14
|
Элеконд Стандартные
|
55
|
2,51
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
|
СР75-614ФВ
|
РАЗЪЕМЫ
|
13
|
24,87
|
20.01.2025 11:12:37
|
|
|
|
С5-61-4,99К-10В-0,1%
|
**РЕЗИСТОРЫ 90г б/уп б/пасп
|
5
|
12,57
|
20.01.2025 11:06:59
|
|
|
|
С5-61-4,99К-10В-2,5%
|
**РЕЗИСТОРЫ 90г б/уп б/пасп
|
25
|
12,57
|
20.01.2025 11:06:59
|
|
|
|
С5-61-4,99К-5В-2,5%
|
**РЕЗИСТОРЫ 90г б/уп б/пасп
|
20
|
12,57
|
20.01.2025 11:06:59
|
|
|
|
TAS5614DKD HSSOP-44
|
Микросхема TI
|
5
|
58,92
|
20.01.2025 11:01:07
|
|
|
|
FDD5614P TO252
|
Транзистор FSC
|
4
|
4,42
|
20.01.2025 11:01:07
|
|
|
|
FDD5614P DPAK TO252 Fair
|
|
90
|
13,57
|
20.01.2025 10:54:32
|
|
|
|
TAS5614A HSSOP44 TI
|
|
7
|
158,56
|
20.01.2025 10:54:32
|
|
|
|
2SK2666 TO220F Shindengen = 2SK1356,1460
|
|
6
|
13,27
|
20.01.2025 10:54:32
|
|
|
|
SA011 SA6115 61473-0064-01 Samsung половина №43
|
|
6
|
37,70
|
20.01.2025 10:54:32
|
|
|
|
256 \1,4x05\\\\РК206\1Г
|
Кварцевые резонаторы (пьезокерамические, диэлектрические, ПАВ (SAW), резонаторы из других пьезоматериалов)
|
8
|
30,16
|
17.01.2025 14:42:44
|
|
|
