|
541РУ2Б (86г)
|
03.01.1900 14:10:00
|
10
|
25,14
|
02.10.2025 15:15:57
|
|
|
|
541ру2л (86г.)
|
Микросхема Интеграл
|
10
|
13,27
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
2N5415 (86г.)
|
транзистор (Motorola - 200V 400mA 1W PNP High Voltage Transistors, Ni, to-39)
|
20
|
4,42
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
к541ру2 (86г.)
|
Микросхема (Au) Интеграл
|
33
|
13,27
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
541ру2а (86г.)
|
Микросхема Интеграл
|
18
|
13,82
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
к541ру2а (86г.)
|
Микросхема Интеграл
|
2
|
13,27
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
28-6554-10 DIP-28ZIF (Aries)
|
Панель для микросхем (Universal Zero Insertion Force DIP Test Socket, Ni)
|
1
|
33,18
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
РП-254 -110В, 2А УХЛ4 Реле промежуточное 86-90г.
|
|
8
|
208,83
|
02.10.2025 12:46:44
|
|
|
|
541РУ2А 86г.
|
|
17
|
15,08
|
01.10.2025 13:26:34
|
|
|
|
541 РУ1К 86г.
|
|
15
|
|
01.10.2025 13:23:21
|
|
|
|
541 РУ2А 86г.
|
|
15
|
|
01.10.2025 13:23:21
|
|
|
|
С2-29-0,125 4,12 кОм 86,87г. 0,5-А,Б 5 ОС
|
|
|
|
01.10.2025 13:23:21
|
|
|
|
Резистор С2-23-0,25 41,5К от 86г,в,
|
|
|
|
01.10.2025 12:57:03
|
|
|
|
Конденсатор К50-68-6.3В-100мкф 20% В АЖЯР.673541.005ТУ ВП в З/У
|
2014 г.
|
220
|
7,04
|
02.04.2025 9:58:25
|
|
|
|
Конденсатор К50-68-6.3В-100мкф 20% В АЖЯР.673541.005ТУ ВП в З/У
|
2014 г.
|
220
|
7,04
|
02.04.2025 9:58:25
|
|
|
|
Конденсатор К50-68-6.3В-100мкф 20% В АЖЯР.673541.005ТУ ВП в З/У
|
2014 г.
|
220
|
7,04
|
02.04.2025 9:58:25
|
|
|
|
Конденсатор К50-68-6.3В-220мкф 20% В АЖЯР.673541.005ТУ ВП в З/У
|
2014 г.
|
20
|
7,04
|
02.04.2025 9:58:25
|
|
|
|
Конденсатор К50-68-6.3В-220мкф 20%В АЖЯР.673541.005ТУ ВП в З/У
|
2014 г.
|
20
|
7,04
|
02.04.2025 9:58:25
|
|
|
|
Конденсатор К50-68-6.3В-220мкф 20%В АЖЯР.673541.005ТУ ВП в З/У
|
2014 г.
|
20
|
7,04
|
02.04.2025 9:58:25
|
|
|
|
Конденсатор К50-68-6.3В-47мкф 20%В АЖЯР.673541.005ТУ ВП в З/У
|
2013 г.
|
28
|
7,04
|
02.04.2025 9:58:25
|
|
|
