Е 870 вкл12мА/вык 0.8мА 15-33мс или 120мс
|
ОТК 2001 с пасп Н.уп.:
|
1
|
|
20.01.2025 13:27:48
|
|
|
РСП-4(исп6)0.85А 560 Ом 10% 533х126х86мм
|
ОТК 1961 без упаковки. без паспорта Н.уп.:
|
1
|
754,09
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
СП3-28-0,125-33 кОм 10%(87г)
|
|
54
|
2,01
|
20.01.2025 13:02:47
|
|
|
МЛТ-0,125-330 Ом 10% (80г)
|
|
340
|
1,01
|
20.01.2025 13:02:47
|
|
|
КР1533ЛП12 (08г.)
|
30.12.1899 9:40:00
|
100
|
3,02
|
20.01.2025 13:02:47
|
|
|
сп3-9а-0,5-33 кОм-20% (82г.) (5) (вс2-12,5)
|
резистор переменный --
|
106
|
0,53
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
сп3-9а-0,5-33 кОм-20% (88г.) (вс2-12,5) (5)
|
резистор переменный --
|
166
|
0,53
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
сп3-9а-0,5-33 кОм-20% (89г.) (вс2-12,5) (5)
|
резистор переменный --
|
644
|
0,53
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
сп3-16б-0,125-3,3 кОм-20% (81г.)
|
резистор переменный (вс2-8) (1)
|
1
|
0,32
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
сп3-16д-0,125-33 кОм-20% (89г.)
|
резистор переменный (вс2-8) (5)
|
24
|
0,42
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
сп3-38а-0,125-330 кОм-30% (88,89г.)
|
резистор переменный --
|
5
|
0,11
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
с1-4-0,125-3,3 кОм-10% (8589г.)
|
резистор --
|
316
|
0,02
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
вс-0,125-33 Ом-10% (81г.)
|
резистор --
|
350
|
0,01
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
с1-4-0,125-33 Ом-10% (8789г.)
|
резистор --
|
935
|
0,02
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
млт-0,125-33 Ом-10% (88,89г.) -АД1в
|
резистор --
|
1549
|
0,02
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
533ла1 (2008г.)
|
Микросхема (Au) осм Микрон
|
1
|
11,12
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
сп5-16вг-0,125-330 Ом-10% (2003г.) (перепр. 2008г.)
|
резистор переменный -1
|
189
|
2,65
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
с2-33н-0,125-33 кОм-5% (2008г.)
|
резистор -А (1) (лента полос.)
|
1278
|
0,04
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
б533ла9-1 (2008г.)
|
Микросхема Микрон (5)
|
195
|
10,59
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
0805 3.3 кОм 1% (RC2012F 332 CS)
|
Samsung 5000
|
5000
|
0,00
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|