С5-35В-25 300 Ом 5% (с 2000г)
|
ОТК Н.уп.: 10
|
10
|
14,08
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
С5-35В-25 30 Ом 5% с креп. с 2000г
|
ОТК 2001 с проаодами для монтажа Н.уп.:
|
31
|
14,08
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
С5-35В-25 3.0 кОм 5% с 2000г
|
ОТК Н.уп.: 10
|
359
|
14,08
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
С5-35В-25 300 Ом 5% (с 2000г)
|
ОТК 2000 Н.уп.:
|
12
|
14,08
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РТЛ-2053 0*4 (с 2000г)
|
ОТК 2005 Украина сколы ребер Н.уп.:
|
1
|
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
Ц4202 0-10мА 2,5 30-45 1000-20000Гц
|
|
3
|
35,19
|
20.01.2025 13:02:47
|
|
|
ваттметр Д5072 5mA R=2000 L=750mH 45-300-500Hz, 10mA R=550 L=60 45-500-1500Hz
|
88
|
1
|
251,36
|
20.01.2025 12:48:09
|
|
|
Ц4209 0-5мА кл.2,5 30-45-1000-20000Гц
|
84 1,без упак.
|
1
|
|
20.01.2025 12:44:13
|
|
|
Ц42302 0-1mА кл.2,5 30-45-1000-20000Гц
|
2009 1,упак.,пасп.
|
2
|
|
20.01.2025 12:44:13
|
|
|
Ц42302 0-1mА кл.2,5 30-45-1000-20000Гц
|
2010 1,упак.,пасп.
|
1
|
|
20.01.2025 12:44:13
|
|
|
Ц42302 0-1mА кл.2,5 30-45-1000-20000Гц
|
2011 1,упак.,пасп.
|
4
|
|
20.01.2025 12:44:13
|
|
|
с5-35в-25-300 Ом-5% (2000г.) (1)
|
резистор --
|
1849
|
4,24
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
с2-29в-0,125-30,1 Ом-1% (2000г.) -1,0-А (5)
|
резистор --
|
7
|
0,29
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
с2-33н-0,125-301 Ом-2% (2000г.)
|
резистор #NAME?
|
370
|
0,14
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
с2-33н-0,125-301 Ом-2% (2000г.) -АГ
|
резистор --
|
975
|
0,14
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
530ла4 (2000г.)
|
Микросхема (Au) Микрон
|
1
|
15,89
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
530тм8 (2000г.)
|
Микросхема (Ni) Микрон
|
3
|
10,59
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
IRL530NL (2000г.)
|
транзистор (IR, HEXFET® Power MOSFET, 100V, 17A TO-262)
|
37
|
10,59
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
Ц4200 (0-1,5-5)х10млА 2,5 30-45-1000-20000Гц
|
01г 80х80мм
|
85
|
20,01
|
20.01.2025 10:47:45
|
|
|
Ц4200 0-30-100млА 2,5 30-45-1000-20000Гц
|
87г 80х80мм
|
1
|
20,01
|
20.01.2025 10:47:45
|
|
|