ваттметр Д5072 5mA R=2000 L=750mH 45-300-500Hz, 10mA R=550 L=60 45-500-1500Hz
|
88
|
1
|
251,36
|
26.09.2024 16:33:38
|
|
|
С5-35В-25 300 Ом 5% (с 2000г)
|
ОТК 2000 Н.уп.:
|
18
|
14,08
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
С5-35В-25 3.0 кОм 5% с 2000г
|
ОТК Н.уп.: 10
|
359
|
14,08
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
С5-35В-25 30 Ом 5% с креп. с 2000г
|
ОТК 2001 с проаодами для монтажа Н.уп.:
|
31
|
14,08
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
С5-35В-25 300 Ом 5% (с 2000г)
|
ОТК Н.уп.: 10
|
10
|
14,08
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
РТЛ-2053 0*4 (с 2000г)
|
ОТК 2005 Украина сколы ребер Н.уп.:
|
1
|
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
Ц4202 0-10мА 2,5 30-45 1000-20000Гц
|
87:2, 88:1
|
3
|
35,19
|
26.09.2024 15:42:57
|
|
|
Ц4209 0-5мА кл.2,5 30-45-1000-20000Гц
|
84 1,без упак.
|
1
|
|
26.09.2024 15:23:39
|
|
|
Ц42302 0-1mА кл.2,5 30-45-1000-20000Гц
|
2009 1,упак.,пасп.
|
2
|
|
26.09.2024 15:23:39
|
|
|
Ц42302 0-1mА кл.2,5 30-45-1000-20000Гц
|
2010 1,упак.,пасп.
|
1
|
|
26.09.2024 15:23:39
|
|
|
Ц42302 0-1mА кл.2,5 30-45-1000-20000Гц
|
2011 1,упак.,пасп.
|
4
|
|
26.09.2024 15:23:39
|
|
|
с2-33м-0,25-300 кОм-10% (2000г.)
|
резистор --
|
290
|
0,04
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
с5-35в-25-300 Ом-5% (2000г.) (1)
|
резистор --
|
1849
|
4,42
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
с2-29в-0,125-30,1 Ом-1% (2000г.) -1,0-А (5)
|
резистор --
|
7
|
0,30
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
с2-33н-0,125-301 Ом-2% (2000г.)
|
резистор #NAME?
|
370
|
1836,36
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
с2-33н-0,125-301 Ом-2% (2000г.) -АГ
|
резистор --
|
975
|
1836,36
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
РЭС-53-04 (2000г.)
|
реле (24в)
|
839
|
9,95
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
530ла4 (2000г.)
|
Микросхема (Au) Микрон
|
1
|
16,59
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
530тм8 (2000г.)
|
Микросхема (Ni) Микрон
|
3
|
9,40
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
IRL530NL (2000г.)
|
транзистор (IR, HEXFET® Power MOSFET, 100V, 17A TO-262)
|
37
|
11,06
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|