РТЛ-3270 0*4 Iтепл.э=165-219-270А кл.10 Украина (ЭТАЛ) (с 2010г)
|
ОТК 2013 с/пасп. Н.уп.: 2
|
3
|
216,17
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РТЛ-3270 0*4 Iтепл.э=165-219-270А кл.10 Украина (ЭТАЛ) (с 2010г)
|
ОТК 2013 с/пасп. Н.уп.: 2
|
4
|
216,17
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РТЛ-3270 0*4 Iтепл.э=165-219-270А кл.10 Украина (ЭТАЛ) (с 2010г)
|
ОТК 2012 с/пасп. Н.уп.: 2
|
2
|
216,17
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РТЛ-3270 0*4 Iтепл.э=165-219-270А кл.10 Украина (ЭТАЛ) (с 2010г)
|
ОТК 2013 с/пасп.б/крепежа Н.уп.: 2
|
1
|
216,17
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РТЛ-3270 0*4 Iтепл.э=165-219-270А кл.10 Украина (ЭТАЛ) (с 2010г)
|
ОТК 2012 с/пасп. Н.уп.:
|
12
|
216,17
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
521СА201 (91-02г)
|
|
162
|
30,16
|
20.01.2025 13:02:47
|
|
|
521са201 (92г.)
|
Микросхема (Au) Альфа
|
1
|
12,71
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
521са201 (92г.) ос
|
Микросхема (Au) Альфа
|
1
|
13,24
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
521са201 (93г.)
|
Микросхема (Ni) Альфа
|
10
|
3,18
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
521са201 (94г.)
|
Микросхема (Ni) Альфа
|
1
|
3,18
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
к52-1в-100в-3,3 мкФ-10% (2019г.)
|
конденсатор -5
|
118
|
95,34
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
к52-1в-100в-6,8 мкФ-10% (2019г.)
|
конденсатор -5
|
46
|
105,93
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
к52-1бв-16в-22 мкФ-10% (2019г.)
|
конденсатор -5
|
55
|
65,05
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
к52-1бв-25в-330 мкФ-20% (2019г.)
|
конденсатор -5
|
142
|
145,45
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
к52-1в-3,2в-100 мкФ-10% (2019г.)
|
конденсатор -5
|
29
|
87,71
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
к52-1бв-32в-100 мкФ-20% (2019г.)
|
конденсатор -5
|
62
|
138,98
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
к52-1в-50в-3,3 мкФ-20% (2019г.) (5)
|
конденсатор --
|
92
|
72,03
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
к52-1в-50в-68 мкФ-10% (2019г.)
|
конденсатор -5
|
4
|
138,77
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
к52-1бв-63в-47 мкФ-20% (2019г.)
|
конденсатор -5
|
74
|
138,98
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
к52-11в-100в-15 мкФ-20% (2019г.) ос
|
конденсатор --
|
50
|
81,57
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|