РЭН 18 РХ4.564.514 -220В
|
ВП 1986 Н.уп.: 1
|
3
|
17,09
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РЭН 18 РХ4.564.514 -220В
|
ВП 1983 Н.уп.: 1
|
6
|
17,09
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РЭН 18 РХ4.564.514 -220В
|
ВП 1985 Н.уп.: 1
|
6
|
17,09
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РЭН 18 РХ4.564.514 -220В
|
ВП 1989 Н.уп.: 1
|
2
|
17,09
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РЭН 18 РХ4.564.514 -220В
|
ОТК 1977 Н.уп.: 1
|
1
|
17,09
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РЭН 18 РХ4.564.514 -220В
|
ОТК 1975 Н.уп.: 1
|
1
|
17,09
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
РЭН 18 РХ4.564.514 -220В
|
ОТК 1975 Н.уп.: 1
|
3
|
17,09
|
20.01.2025 13:26:45
|
|
|
ТБ261-125-14-642
|
1,без упак.
|
2
|
|
20.01.2025 12:44:13
|
|
|
HY514264BJC-60 (97г.)
|
Микросхема (Hyundai - 256K x 16-bit CMOS DRAM with Extended Data Out, soj-40)
|
17
|
11,65
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
5514БЦ2Т-174 (64БЦ2-174) Au
|
Ангстрем 401.14-5
|
66
|
32,17
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
5514БЦ2Т-174 (64БЦ2-174) Au
|
Ангстрем 401.14-5
|
8
|
32,17
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
5514БЦ1Т1-164 (54БЦ1-164) Au
|
Ангстрем 401.14-5
|
1
|
32,17
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
5514БЦ1Т1-164 (54БЦ1-164) Au
|
Ангстрем 401.14-5
|
42
|
32,17
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
0805 1% 464K (5000 шт.)
|
РЕЗИСТОРЫ
|
1
|
44,69
|
20.01.2025 11:12:37
|
|
|
0805 1% 4M64 (5000 шт.)
|
РЕЗИСТОРЫ
|
5
|
73,69
|
20.01.2025 11:12:37
|
|
|
Реле РЭН18 РХ4.564.514 ОТК
|
2020
|
10
|
288,97
|
20.01.2025 11:03:03
|
|
|
Диод КД664АС АДКБ.432120.514ТУ ВП в З/У + Пасп.
|
2016 г.
|
34
|
180,98
|
20.01.2025 10:56:20
|
|
|
TMP47C634AN-R564 SDIP42 Etron = LK-5140M1
|
|
5
|
74,50
|
20.01.2025 10:54:32
|
|
|
SMD-резистор 1206 4,3 om ±5% (1/4W) RO
|
ROYALOHM
|
|
|
20.01.2025 10:53:11
|
|
|
SMD-резистор 1206 4,7 om ±5% (1/4W) RO
|
ROYALOHM
|
|
|
20.01.2025 10:53:11
|
|
|