|
0805 0,022м X7R 50в 10% CC0805KRX7R9BB223
|
YAGEO
|
3700
|
0,06
|
20.01.2025 13:24:00
|
|
|
|
к10-17б Y5V 0,022м 50в 20% 0805Y223Z500
|
ETHER
|
1108
|
0,11
|
20.01.2025 13:24:00
|
|
|
|
к10-17б Х7R 0,022м 50в 10% 0805B223K500
|
ETHER
|
462
|
0,13
|
20.01.2025 13:24:00
|
|
|
|
0805 0,022м Y5V 50в +80-20% CL21F223ZBANNNC
|
Samsung
|
3060
|
0,05
|
20.01.2025 13:24:00
|
|
|
|
0805 0,022м X7R 50в 10% CL21B223KBANNNC
|
Samsung
|
554
|
0,06
|
20.01.2025 13:24:00
|
|
|
|
0805 0,022м X7R 100в 10% CL21B223KCFNNNG
|
Samsung
|
1195
|
0,07
|
20.01.2025 13:24:00
|
|
|
|
0805 0,082м X7R 50в 10% CL21B823KBANNNC
|
Samsung
|
3930
|
0,10
|
20.01.2025 13:24:00
|
|
|
|
СТ4-0805В-223-К500- 0,022мкФ10%
|
30.12.1899 18:20:00
|
500
|
0,50
|
20.01.2025 13:02:47
|
|
|
|
М42300 0-30 mA 1.5 /80*80*50/
|
2001 5
|
1
|
|
20.01.2025 12:44:28
|
|
|
|
М42300 0-30 mA 1.5 /80*80*50/
|
2007 1,упак.
|
6
|
|
20.01.2025 12:44:28
|
|
|
|
Р1-23-0805-0.02 Ом
|
2017 5,без упак.,ярлык
|
10
|
|
20.01.2025 12:44:13
|
|
|
|
R0805-237 кОм-1% (RC0805FR-07237K) (2004г.)
|
резистор SMD (YAGEO)
|
5000
|
0,03
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
R0805-237 кОм-1% (0805S8F2373T50)
|
резистор SMD (ROYAL OHM, 1/8W)
|
9400
|
0,03
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
ct4-0805y223m500f3-50v-0,022 мкФ-20% (б/г.)
|
конденсатор (многослойная выводная керамика)
|
3295
|
0,42
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
R0805-22 кОм-5% (0805S8J0223T5E)
|
резистор SMD (ROYAL OHM - 0805 1/8W Chip Resistor)
|
3500
|
0,03
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
R0805-82 кОм-5% (0805J0823T5E)
|
резистор SMD (ROYAL OHM - 0805 1/8W Chip Resistor)
|
10000
|
0,03
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
SK 6,2/3,8:UNBEDRUCKT 0805425 (2015г.)
|
(PHOENIX - маркировочный лист)
|
19
|
21,19
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
0805 62 кОм 5% (RM10JTN623)
|
TA-I Tech
|
10000
|
0,00
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
|
0805 52,3 кОм 1% (RC2012F5232CS)
|
Samsung 5000
|
25000
|
1,61
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
|
0805 62 кОм 5% (RS-05K623JT)
|
FH 5000
|
5000
|
0,01
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
