|
MC44608P100
|
ON Semiconductor DIP8
|
|
13,37
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
М346 0-100 А 2.5
|
Амперметр ОТК
|
1
|
50,27
|
16.01.2026 14:38:02
|
|
|
|
М346 0-100 А 2.5
|
Амперметр ОТК
|
1
|
50,27
|
16.01.2026 14:38:02
|
|
|
|
М346 0-100 А 2.5
|
Амперметр ОТК
|
1
|
50,27
|
16.01.2026 14:38:02
|
|
|
|
М346 0-100 А 2.5
|
Амперметр ОТК
|
1
|
50,27
|
16.01.2026 14:38:02
|
|
|
|
КФ4П1-5-100В12 104.46#0.2Ом2.07
|
Резистор ОТК
|
90
|
5,03
|
16.01.2026 14:37:22
|
|
|
|
РП-21-004-УХЛ4 -60В
|
Реле ОТК
|
4
|
35,19
|
16.01.2026 14:37:22
|
|
|
|
ТСП 012.08 Рt100/В/4 -60+200С L=630мм d=10/8мм( с2010г)
|
Термо устр-во ОТК
|
1
|
|
16.01.2026 14:37:22
|
|
|
|
ECAP 1000/160v 2546 HP 105C (HP102M160N460) жёсткие выводы
|
CapXon
|
3
|
19,91
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
ECAP 10000/50v 2546 LP (LP103M050N460) жёсткие выводы
|
CapXon
|
10
|
18,40
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
2444-60-100мм-0,8мг-см/90 (00г)
|
30.12.1899 0:03:00
|
3
|
4,02
|
16.01.2026 14:32:35
|
|
|
|
ГК1001-П-15ГР-4,608М-3,3В 5 Au паспорт
|
16 Пъезо
|
1
|
0,00
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
ГК1001-П-15ГР-4,608М-3,3В 5 Au паспорт
|
18 Пъезо
|
1
|
0,00
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
2SC3460 npn 1100/800V 6A 100W
|
Импорт TO-3PB
|
511
|
2,51
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
MC44608P100
|
микросхема DIP8 ONS
|
57
|
19,61
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
G60N100B TO264 60A 1000V
|
IGBT-транзистор на сварочн.аппарат 3фазн.
|
1
|
39,21
|
16.01.2026 14:06:13
|
|
|
|
ТСМ-012.62-100М/В/4-(60-170)гр.Цельс.250мм-10/6мм
|
16г З/уп.Паспорт.Уплотнитель.кабельны ввод.Фото.
|
6
|
100,55
|
16.01.2026 14:06:13
|
|
|
|
GMCM001 GMCM001 black Hidden touch switch 12/24 60/100W
|
|
|
|
16.01.2026 13:35:03
|
|
|
|
TDA4605 (от 100 шт) микросхемы
|
ST DIP8
|
|
|
16.01.2026 13:35:03
|
|
|
|
JM-LP-2022 LP2022 IR сенсор 12/24 60/100W
|
IR Sensor Switch-hidden
Input Voltage: DC12
Output power: 60W
Sensor distance: 3M
Delay time: 60S
Detecting angle: 10
|
|
|
16.01.2026 13:35:03
|
|
|
