|
ДКС10-300-I-2 (Д2561)
|
30.12.1899 0:01:00
|
1
|
879,77
|
02.10.2025 15:15:57
|
|
|
|
ATMEGA2561-16AU
|
МИКРОСХЕМЫ
|
218
|
90,20
|
02.10.2025 15:11:27
|
|
|
|
Микросхема AMI82561 КР1008ВЖ4
|
1991 июл.50
|
500
|
1,21
|
02.10.2025 12:57:30
|
|
|
|
Оптрон PS2561L1-1-D
|
|
50
|
4,22
|
02.10.2025 12:57:30
|
|
|
|
Оптрон PS2561L1-1-L
|
|
10
|
4,22
|
02.10.2025 12:57:30
|
|
|
|
Оптрон PS2561L1-1-W
|
|
50
|
4,22
|
02.10.2025 12:57:30
|
|
|
|
AT17LV256-10NU (2002г.)
|
Микросхема (Atmel - FPGA Configuration EEPROM Memory, so-8)
|
844
|
38,71
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
AT28C256-15Pl (2001г.)
|
Микросхема (Atmel - 256K(32Kx8) cmos E2PROM, dip-28)
|
15
|
25,54
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
AT28C256-15Pl (2003г.)
|
Микросхема (Atmel - 256K(32Kx8) cmos E2PROM, dip-28)
|
12
|
27,65
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
AT28C256-15Pl (2004г.)
|
Микросхема (Atmel - 256K(32Kx8) cmos E2PROM, dip-28)
|
577
|
27,65
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
P28F256-120 (2006г.)
|
Микросхема (INTEL - 256K (32K x 8) CMOS Flash Memory, dip-32)
|
2
|
95,12
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
AT29C256-12TI (97г.)
|
Микросхема (Flash-32Kx8, TSOP-I-28)
|
1
|
12,17
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
M4A3-256/128-7YC-10YI
|
Микросхема (Lattice - High Perform E2CMOS®In-System Programmable Logic, pqfp-208)
|
4
|
82,95
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
AS7C256-10JCN (2006г.)
|
Микросхема (ALLIANCE - High Performance 32Kx8 CMOS SRAM, soj-28)
|
50
|
22,12
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
с2-23-0,125-6,19 кОм-1% (87г.) ос
|
резистор --
|
19
|
0,10
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
с2-23-0,125-6,19 кОм-1% (91г.)
|
резистор -АВв (5)
|
121
|
1836,36
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
с2-23-0,125-6,19 кОм-1% (92г.) ос
|
резистор --
|
40
|
1836,36
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
с2-33н-0,125-6,19 кОм-1% (93г.) -Ав (5)
|
резистор --
|
45
|
1836,36
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
с2-33н-0,125-6,19 кОм-1% (93г.) -АГв
|
резистор --
|
2640
|
1836,36
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
с2-29в-0,125-61,2 кОм-0,1% (87г.) -1,0-А (5)
|
резистор --
|
15
|
0,40
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
