|
TEA6360T/V2.512
|
NXP ***
|
|
39,51
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
2512-360 ом 5%
|
1W
|
3065
|
0,14
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
2512-360 ком 5%
|
1W
|
2895
|
0,14
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
С2-36-0,125-120 кОм 1% ос (05г)
|
30.12.1899 5:30:00
|
30
|
2,51
|
16.01.2026 14:32:35
|
|
|
|
С2-36-0,125-1,24 КОМ-0,5%
|
М
|
78
|
0,55
|
16.01.2026 14:23:56
|
|
|
|
с2-36-0,125-12,1 кОм-0,5% (88г.) -Ав (ос)
|
-- резистор
|
204
|
0,40
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-12,4 кОм-0,5% (83г.) -Нв (5)
|
-- резистор
|
6
|
0,30
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-12,4 кОм-0,5% (92г.) -АНв ос
|
-- резистор
|
4
|
0,50
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-12,4 кОм-0,5% (93г.) -АНв ос
|
-- резистор
|
6
|
0,50
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-12,6 кОм-0,5% (87г.) -АНв (5)
|
-- резистор
|
243
|
0,40
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-12,6 кОм-0,5% (89г.) -АНв (5)
|
-- резистор
|
200
|
0,40
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-12,6 кОм-0,5% (92г.) -АНв (5)
|
-- резистор
|
44
|
0,40
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-12,7 кОм-0,5% (88г.) -А-0,5 (5)
|
-- резистор
|
77
|
0,40
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-120 Ом-0,5% (87г.) -АНв (5)
|
-- резистор
|
56
|
0,30
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-120 Ом-0,5% (90г.) -АНв (5)
|
-- резистор
|
68
|
0,40
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-129 кОм-0,5% (90г.) -АНв (5)
|
-- резистор
|
49
|
0,50
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
с2-36-0,125-129 кОм-0,5% (91г.) -АНв (5)
|
-- резистор
|
265
|
0,40
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
С2-36-0,125-1,24 КОМ-1% Резистор
|
|
25
|
0,30
|
16.01.2026 14:12:25
|
|
|
|
С2-36-0,125-12,4 КОМ-0,5% Резистор
|
|
1
|
0,30
|
16.01.2026 14:12:25
|
|
|
|
С2-36-0,125-12,7 КОМ-1% Резистор
|
|
200
|
0,30
|
16.01.2026 14:12:25
|
|
|