|
24C02N-SI-2.7
|
3 Atmel SO-8
|
14
|
2,03
|
28.10.2026 11:24:15
|
|
|
|
пп 24C02N-10SI-2.5\SO-8-150-1.27 \пам\ATM\
|
Полупроводники
|
40
|
3,28
|
07.10.2026 9:48:51
|
|
|
|
пп 24C02N-10SI-2.5\SO-8-150-1.27 \пам\ATM\
|
Полупроводники
|
40
|
1,73
|
06.07.2026 11:10:46
|
|
|
|
24C02N-SI-2,7
|
|
18
|
3,08
|
02.04.2026 13:37:31
|
|
|
|
24C02N-SI-2,7
|
|
18
|
3,08
|
02.04.2026 13:37:27
|
|
|
|
24C02N-SI-2.7
|
2003г Atmel SO-8 б/уп
|
24
|
3,35
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
AT24C02N-10SI-2.7
|
ATMEL
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
AT24C02N-10SI-2.7TR
|
ATMEL
|
|
|
06.10.2021 15:12:07
|
|
|
|
Микросхемы памяти
AT24C02N-10SU-2.7, Последовательная энергонезависимая память (=24C02N-10SI-2.7) [SO-8]
|
Atmel
|
|
1,18
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
