|
с2-29в-0,062-226 ом-0,25%
|
Эркон
|
32
|
2,51
|
29.10.2024 11:17:09
|
|
|
|
с2-29в-0,062-226 ом-0,5%
|
Эркон
|
29
|
2,51
|
29.10.2024 11:17:09
|
|
|
|
с2-29в-0,062-226 ком-0,1%-а
|
Эркон
|
12
|
2,51
|
29.10.2024 11:17:09
|
|
|
|
SCN-1A-226-MC-10 В-22 мкФ (chip tantal C case) Samsung
|
|
241
|
1,05
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
TAJ-B-226-M-016-16 В-22 мкФ 20% (chip tantal B case) AVX
|
|
382
|
0,91
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
С2-29В-2 226 Ком 0,5%
|
89 М
|
10
|
2,21
|
26.09.2024 16:33:38
|
|
|
|
С2-10-0.5 Вт 226 Ом 1%
|
ВП 1985 Н.уп.: 99
|
99
|
0,80
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-10- 0.25 Вт 226 Ом 1%
|
ОТК 1989 В Н.уп.: 100
|
100
|
0,40
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-10- 0.25 Вт 226 Ом 0.5%
|
ВП 1990 В Н.уп.: 400
|
400
|
0,50
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-10-0.5 Вт 226 Ом 0.5%
|
ВП 1985 В Н.уп.: 20
|
60
|
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-10- 0.25 Вт 226 Ом 1%
|
ВП 1989 Н.уп.: 50
|
50
|
0,40
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-36-0.125 Вт 226 Ом 0.5%
|
ОТК 1989 Н-В Н.уп.: 100
|
100
|
0,40
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-10- 0.25 Вт 226 Ом 0.5%
|
ВП 1989 Н.уп.: 138
|
138
|
0,50
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-10- 0.25 Вт 226 Ом 0.5%
|
ВП 1990 Н.уп.: 200
|
1000
|
0,50
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-10- 0.25 Вт 226 Ом 0.5%
|
ВП 1991 В Н.уп.: 200
|
800
|
0,50
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-10- 0.25 Вт 226 Ом 1%
|
ОТК 1989 В Н.уп.: 200
|
800
|
0,40
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-36-0.125 Вт 226 Ом 0.5%
|
ВП 1991 А-В Н.уп.: 200
|
400
|
0,40
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-10- 0.25 Вт 226 Ом 0.5%
|
ВП 1989 Н.уп.: 200
|
1600
|
0,50
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
С2-10- 0.25 Вт 226 Ом 0.5%
|
ВП 1989 В Н.уп.: 200
|
200
|
0,50
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
|
ОО -0.25-Н 231-226-220/133 однофазный
|
ОТК 1982 Н.уп.:
|
3
|
125,68
|
26.09.2024 15:46:51
|
|
|
