индук 10,0нГн\\SMD02012C2[0805]\ 5%\LQW2BHN\
|
Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
57
|
3,02
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 12,0мкГн\\SMD02012C2[0805]\\\
|
7066 L 12,0мкГн\\0805\SMD\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
12
|
3,32
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 22,0нГн\\SMD02012C2[0805]\ 5%\LQW2BHN\
|
Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
170
|
3,02
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 56,0нГн\\SMD02012C2[0805]\\\
|
7047 L 56,0нГн\\0805\SMD\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
13
|
3,32
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 68,0нГн\ 0,46А\SMD02012C2[0805]\\LQW2BH\
|
LQW2BHN68NJ01\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
3
|
4,02
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 68,0нГн\\SMD02012C2[0805]\\\катушка
|
7055 L 68,0нГн\\0805\SMD\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
2
|
3,32
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 68,0нГн\\SMD02012C2[0805]\\\кер
|
7046 L 68,0нГн\\0805\SMD\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
87
|
3,32
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 82,0нГн\ 0,32А\SMD02012C2[0805]\\LQW2BH\
|
LQW2BHN82NJ01\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
84
|
8,85
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 100,0нГн\\SMD02012C2[0805]\\\\
|
Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
37
|
5,03
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 270,0нГн\ 0,19А\SMD02012C2[0805]\\LQW2BHN\
|
LQW2BHNR27K01\10МГц\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
7
|
4,42
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 270,0нГн\\SMD02012C2[0805]\\\
|
Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
90
|
3,82
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 330,0нГн\ 0,18А\SMD02012C2[0805]\\LQW2BH\
|
LQW2BHNR33K01\10МГц\ Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
86
|
8,85
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 470,0нГн\\SMD02012C2[0805]\\\
|
Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
170
|
3,02
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 560,0нГн\\SMD02012C2[0805]\\\\
|
Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
96
|
4,42
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
индук 820,0нГн\\SMD02012C2[0805]\\\
|
Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
73
|
4,42
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
к 1 пФ~ 150 пФ\\SMD02012C2\\\NPO\\EK-C0805
|
набор 36 номиналов по 15 шт. Чип-конденсаторы керамические
|
4
|
211,15
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
к 0,010 мкФ\ 50\SMD02012C2[0805]\\+125C\X7R\\
|
10000 пФ=10 нФ15%/-55~+125C Чип-конденсаторы керамические
|
3707
|
0,50
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
к 0,010 мкФ\ 50\SMD02012C2[0805]\\+125C\X7R\\
|
-55~+125C\CL21B103KBANNNC SAMSUN Чип-конденсаторы керамические
|
2356
|
0,50
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
к 0,015 мкФ\ 50\SMD02012C2[0805]\10\+125C\X7R
|
CL21B153KBANNNC\SAMSUNG Чип-конденсаторы керамические
|
3970
|
0,50
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|
к 0,015 мкФ\ 50\SMD02012C2[0805]\\+125C\X7R\\
|
15000 пФ=10 нФ15%/-55~+125C Чип-конденсаторы керамические
|
43
|
0,50
|
26.09.2024 14:56:42
|
|
|