|
Дроссель LQH43MN471K03L 470 мкГн 10% (чип 1812) Murata
|
|
48
|
1,96
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
GRM43-2-X7R-0,47 мкФ-250 В-10% (chip 1812) Murata
|
|
652
|
3,27
|
27.09.2024 9:45:49
|
|
|
|
18121A472JAT2A
|
без упак.
|
26
|
|
26.09.2024 15:23:19
|
|
|
|
К52-18-125В-4.7мкФ-20%
|
2012 5,упак.
|
1
|
|
26.09.2024 15:23:19
|
|
|
|
CC1812JKNPOEBN470-47 пФ-5%-C0G/NP0-3000в (2022г.)
|
конденсатор SMD (Yageo - SMD Ceramic Multilayer Capacitors, High-Voltage, Size: 1812)
|
230
|
1,55
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
|
ВА47-100-3D100-УХЛ3 (10кА)-КЭАЗ 318128 (2021г.)
|
(100А, выключатель автоматический модульный)
|
1
|
132,72
|
26.09.2024 15:22:21
|
|
|
|
1812 X7R 50B 0,47 мкФ 10%
|
б/г Apmax 1000
|
15107
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812N471J302N1 3000V 470pF 5%
|
14 HITANO 1000
|
832
|
1,51
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
LQH43CN4R7M03L 4.7мкГн 20% 1812 чип индуктивность
|
б/г Murata 500
|
3700
|
0,50
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812 X7R 2000B 4.7 нФ 10% (202S43W472KV4E)
|
б/г Dielectric кат.1000
|
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812 X7R 50B 0,47 мкФ 10%
|
б/г Apmax 1000
|
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812 X7R 50В 4.7 мкФ 10% (C1812C475K5RACTU)
|
б/г кат.1000
|
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812N471J302N1 3000V 470pF 5%
|
14 HITANO 1000
|
|
1,51
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
LQH43CN4R7M03L 4.7мкГн 20% 1812 чип индуктивность
|
б/г Murata 500
|
|
0,50
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812 X7B-200V 0,47 mF (470mF)
|
11 YAGEO 1000
|
1973
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812 X7R 50B 0,47 мкФ 10% (CL43B474KBFNNNE)
|
б/г Samsung 1000
|
16000
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812 X7R-250V 0,47mF (470 nF)
|
14 PDC 1000
|
1000
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812 X7R 200V 0,47 mF (470mF)
|
11 YAGEO 1000
|
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812 X7R 50B 0,47 мкФ 10% (CL43B474KBFNNNE)
|
б/г Samsung 1000
|
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
|
1812 X7R-250V 0,47mF (470 nF)
|
14 PDC 1000
|
|
0,00
|
26.09.2024 15:21:21
|
|
|
