|
1812R-104J индуктивность 100uH 158mA 8 Ohm 5%
|
11 API Delevan 1812 (3.4x4.8mm)
500
|
274
|
5,53
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
|
ЧИП индуктивность 1812 1,0uH мкГн 10% LQH43CN1R0M03L Murata
|
индуктивность
|
196
|
4,02
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
ЧИП индуктивность 1812 10uH мкГн 10% 650ma LQH43CN100K03L Murata
|
индуктивность
|
193
|
9,55
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
ЧИП индуктивность 1812 10uH мкГн 10% 400ma LQH43MN100K03L Murata
|
индуктивность
|
100
|
5,53
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
ЧИП индуктивность 1812 100uH мкГн 10% 160ma LQH43MN101K03L Murata
|
индуктивность
|
68
|
9,55
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
ЧИП индуктивность 1812 22uH мкГн 10% 420ma LQH43CN220K03L Murata
|
индуктивность
|
138
|
6,03
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
ЧИП индуктивность 1812 220uH мкГн 10% 110ma LQH43MN221K03L Murata
|
индуктивность
|
59
|
7,04
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
ЧИП индуктивность 1812 330uH мкГн 10% LQH43N331K MURATA
|
индуктивность
|
360
|
4,02
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
ЧИП индуктивность 1812 470uH мкГн 10% 80ma LQH43MN471K03L Murata
|
индуктивность
|
159
|
3,52
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
ЧИП индуктивность 1812 680uH мкГн 10% 65ma LQH43MN681K03L Murata
|
индуктивность
|
118
|
6,03
|
16.01.2026 14:09:17
|
|
|
|
Индуктивность LQH43MN100K03L (10UH 10% 400MA 1812)
|
Разное Тайвань
|
390
|
|
16.01.2026 13:44:37
|
|
|
|
LQN4N102K(J)04 1812 1000uH
|
MURATA SMD
|
|
|
16.01.2026 13:35:03
|
|
|
|
1812R-104J ИНДУКТИВНОСТЬ 100UH 158MA 8 OHM 5%
|
|
206
|
|
16.01.2026 12:28:04
|
|
|
|
1812R-104J ИНДУКТИВНОСТЬ 100UH 158MA 8 OHM 5%
|
2011г API Delevan упак:1812 (3.4x4.8mm) 500
|
350
|
5,83
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
Чип инд.1812 1000uH/50mA 10%
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
Чип инд.1812 B82432 47uH/140mA 10%
|
EPCOS
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
1812-LQH43M 100 uH
|
MURATA
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
Чип инд.1812 100uH/110mA 10%
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
1812-B82432T 100uH
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
1812-LQH43M 10uH
|
EPCOS
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
