|
Конденсатор многослойный SMD 1210 0.068uF 250V X7R 10% / TCC1210X7R683K251HT
|
CCTC
|
700
|
0,76
|
20.07.2026 14:18:28
|
|
|
|
Дроссель выводной PK1012-103K
|
Китай
|
8970
|
0,84
|
20.07.2026 14:18:28
|
|
|
|
CM322522-3R3KL 3.3МКГН 1210
|
чип-индуктивность 2006
|
80
|
|
15.07.2026 12:46:53
|
|
|
|
CV201210-3R3K-3,3 мкГн-10%-30mA-800mOhm (2009г.)
|
(Bourns - Ferrite Multi-Layer Chip Inductors, Size: 0805)
|
6000
|
0,30
|
13.07.2026 10:58:09
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01 мкФ 10% (1210B103K251N3)
|
Hitano 1210
|
31960
|
0,30
|
10.07.2026 12:32:33
|
|
|
|
1210 X7R 0.047 мкФ 630B 10% (GRM32DR72J473KW01L)
|
10 Murata 1000
|
1000
|
0,00
|
10.07.2026 12:32:33
|
|
|
|
Дроссель LQH32MN3R3K23 3,3 мкГн 10% (чип 1210) Murata
|
|
26
|
0,80
|
06.07.2026 15:46:29
|
|
|
|
1210 X7R 0,047МКФ 630B 10% (GRM32DR72J473KW01L)
|
|
750
|
0,01
|
02.04.2026 13:37:31
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01МКФ 10% (1210B103K251N3)
|
|
24008
|
0,46
|
02.04.2026 13:37:31
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01МКФ 10% (1210B103K251N3)
|
|
24008
|
0,46
|
02.04.2026 13:37:27
|
|
|
|
1210 X7R 0,047МКФ 630B 10% (GRM32DR72J473KW01L)
|
|
750
|
0,01
|
02.04.2026 13:37:27
|
|
|
|
Конденсатор C1210C103K5RACTU
|
Разное Мексика
|
140
|
|
16.01.2026 13:44:37
|
|
|
|
C1210N823K5XSC
|
2001г упак, ярлык
|
336
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
1210 0,01МКФ X7R 500В 10% CL32B103KGFNNNE
|
Samsung
|
1148
|
0,38
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01 МКФ ±10% (1210B103K251N3)
|
б/г Hitano упак:1210 катушка 3000
|
29210
|
0,32
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
1210 X7R 250 0.01 МКФ К (1210B103K251N3)
|
2014г Hitano 3000
|
3000
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
чип 1210 3K +5%
|
YAGEO
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
LQH32MN3R3K23L чип индуктивность, 3.3мкГн, 10%, 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
CM322522 3R3KL 3,3мкГн 10% 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
LQH32MN3R3K23 3,3мкГн 300м 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
