|
1210 0,01мкф X7R 500в 10% CL32B103KGFNNNE
|
Samsung
|
1048
|
0,25
|
02.10.2025 15:17:02
|
|
|
|
CV201210-3R3K-3,3 мкГн-10%-30mA-800mOhm (2009г.)
|
дроссель (Bourns - Ferrite Multi-Layer Chip Inductors, Size: 0805)
|
6000
|
2791,14
|
02.10.2025 12:49:31
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01 мкФ 10% (1210B103K251N3)
|
Hitano 1210
|
32210
|
0,30
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
1210 X7R 0.047 мкФ 630B 10% (GRM32DR72J473KW01L)
|
10 Murata
|
1000
|
0,00
|
02.10.2025 12:48:06
|
|
|
|
Конденсатор C1210C103K5RACTU
|
Мексика
|
140
|
|
01.10.2025 13:36:29
|
|
|
|
прочее Дроссель LQH32MN3R3K23 3,3 мкГн 10% (чип 1210) Murata
|
8
|
34
|
|
01.10.2025 13:20:27
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01МКФ ±10% (1210B103K251N3)
|
|
|
|
01.10.2025 12:56:19
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01 МКФ ±10% (1210B103K251N3)
|
б/г Hitano упак:1210 катушка 3000
|
29210
|
0,32
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
1210 0,01МКФ X7R 500В 10% CL32B103KGFNNNE
|
Samsung
|
1148
|
0,38
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
C1210N823K5XSC
|
2001г упак, ярлык
|
336
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
1210 X7R 250 0.01 МКФ К (1210B103K251N3)
|
2014г Hitano 3000
|
3000
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
чип 1210 3K +5%
|
YAGEO
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
LQH32MN3R3K23L чип индуктивность, 3.3мкГн, 10%, 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
CM322522 3R3KL 3,3мкГн 10% 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
LQH32MN3R3K23 3,3мкГн 300м 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
1210 3K +5%
|
ASJ
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
1210 3K +1%
|
YAGEO
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
Конденсаторы керамические SMD
Кер.ЧИП конд. 0.022мкФ X7R 10% 630В 1210, GRM32QR72J223K
|
Murata
|
|
0,42
|
05.04.2018 11:56:50
|
|
|
|
Чип резисторы
CRCW12103K60JNEA
|
артикул 00342268
|
|
|
03.11.2016 14:09:28
|
|
|
|
Катушки индуктивности
RLB0812-103KL 10000uH K
|
артикул 00238060
|
|
0,75
|
03.11.2016 14:09:28
|
|
|
