|
1210 X7R 250 0.01 мкФ К (1210B103K251N3)
|
14 Hitano 3000
|
3000
|
0,00
|
04.04.2025 12:09:40
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01 мкФ ±10% (1210B103K251N3)
|
б/г Hitano 1210 катушка 3000
|
29210
|
0,30
|
04.04.2025 12:09:40
|
|
|
|
1210 X7R 0.047 мкФ 630B 10% (GRM32DR72J473KW01L)
|
10 Murata 1000
|
1000
|
0,00
|
04.04.2025 12:09:40
|
|
|
|
1210 0,01мкф X7R 500в 10% CL32B103KGFNNNE
|
Samsung
|
1048
|
0,25
|
20.01.2025 13:24:00
|
|
|
|
CV201210-3R3K-3,3 мкГн-10%-30mA-800mOhm (2009г.)
|
дроссель (Bourns - Ferrite Multi-Layer Chip Inductors, Size: 0805)
|
6000
|
0,17
|
20.01.2025 11:24:27
|
|
|
|
1210 X7R 0.047 мкФ 630B 10% (GRM32DR72J473KW01L)
|
Murata 1000
|
1000
|
0,00
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
|
1210 X7R 250 0.01 мкФ К (1210B103K251N3)
|
Hitano 3000
|
3000
|
0,00
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01 мкФ ±10% (1210B103K251N3)
|
Hitano 1210
|
29210
|
0,30
|
20.01.2025 11:18:11
|
|
|
|
прочее Дроссель LQH32MN3R3K23 3,3 мкГн 10% (чип 1210) Murata
|
|
37
|
1,36
|
17.01.2025 11:19:05
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01МКФ ±10% (1210B103K251N3)
|
|
21908
|
0,80
|
17.01.2025 11:17:01
|
|
|
|
1210 X7R 250B 0,01 МКФ ±10% (1210B103K251N3)
|
б/г Hitano упак:1210 катушка 3000
|
29210
|
0,32
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
1210 X7R 250 0.01 МКФ К (1210B103K251N3)
|
2014г Hitano 3000
|
3000
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
1210 0,01МКФ X7R 500В 10% CL32B103KGFNNNE
|
Samsung
|
1148
|
0,38
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
C1210N823K5XSC
|
2001г упак, ярлык
|
336
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
LQH32MN3R3K23L чип индуктивность, 3.3мкГн, 10%, 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
CM322522 3R3KL 3,3мкГн 10% 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
LQH32MN3R3K23 3,3мкГн 300м 1210
|
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
чип 1210 3K +5%
|
YAGEO
|
|
|
06.10.2021 15:13:12
|
|
|
|
1210 3K +5%
|
ASJ
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
1210 3K +1%
|
YAGEO
|
|
|
06.10.2021 15:12:26
|
|
|
|
