|
15000 \SMD03225C4\12\ 10\ 30/-40~85C\SMD3225\1Г
|
SDE (SE15.0L12) T/R
|
2801
|
3,78
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
15000 \SMD07050C4\12\ 10\ 30/-40~85C\KC7\1Г
|
Rs40 (лазер) T/R (15.000M L12pF)
|
545
|
7,55
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
7372,8 \02x06\12\ 10\150/-40~85C\2x6\1Г (7.3728)
|
SDE
|
821
|
5,29
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
78 \02x06\12\ 10\150/-40~85C\TF26\1Г (S78KL12)
|
Rs30000
|
114
|
8,31
|
02.04.2026 14:25:50
|
|
|
|
индук 150,0мкГн\\SMD03225C2[1210]\\LQH32C\
|
Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
89
|
8,31
|
02.04.2026 14:25:21
|
|
|
|
индук 15,0мкГн\\SMD03225C2[1210]\\\(4)15N
|
0714 L 0,015мкГн\\1210\SMD\(4) Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
2
|
4,98
|
02.04.2026 14:25:21
|
|
|
|
индук 15,0мкГн\\SMD03225C2[1210]\\\(50)
|
0760 L 15,0мкГн\\1210\SMD\(50) Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
19
|
4,98
|
02.04.2026 14:25:21
|
|
|
|
индук 15,0нГн\\SMD03225C2[1210]\\\(3)
|
0713 L 0,015мкГн\\1210\SMD\(3) Чип-дроссели(катушки индуктивности)
|
263
|
4,98
|
02.04.2026 14:25:21
|
|
|
|
конденсатор RS-25 В-150 мкФ (6.3x12) (105°C, low impedance, long life) Aishi
|
|
38
|
3,47
|
02.04.2026 14:12:39
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~110В (С 2000Г)
|
|
1
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~220В (С 2000Г)
|
|
1
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~220В (С 2000Г)
|
|
1
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~220В (С 2000Г)
|
|
1
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~220В (С 2000Г)
|
|
5
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~220В (С 2000Г) БЕЗКРЕПЕЖА
|
|
1
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~220В (С 2000Г) СКОЛ
|
|
1
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~380В (С 2000Г)
|
|
1
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~380В (С 2000Г)
|
|
1
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~380В (С 2000Г)
|
|
1
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
|
ПМ 12-100150 ~380В (С 2000Г)
|
|
1
|
656,30
|
02.04.2026 13:39:18
|
|
|
