|
Резистор 1206 680 КОм 1% (100шт)
|
|
|
9,55
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
RES 1206 680R 5% (RC1206JR-07680RL)
|
YAG
|
|
1,31
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
ЧИП 1206 NPO 680пФ 50В 5%
|
|
1000
|
2622,73
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
ЧИП 1206 X7R 6800пФ 50В 10%
|
|
1000
|
2429,88
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
1206 68пф NP0 50в 5% CL31C680JBCNNNC
|
Samsung
|
6678
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-80,6 ком 1%
|
1/4W
|
5300
|
0,05
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-680 ом 1%
|
1/4W
|
7366
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-680 ком 1%
|
1/4W
|
6578
|
0,04
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 680пф NP0 50в 10% CC1206JRNPO9BN681
|
YAGEO
|
2900
|
0,17
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 680пф X7R 50в 10% CC1206JRNPO9BN681
|
CCTC
|
88
|
0,13
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 6800пф NP0 50в 5% CC1206JRNPO9BN682
|
YAGEO
|
1990
|
0,40
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 6800пф X7R 50в 10% CL31B682KBCNNNC
|
Samsung
|
3490
|
0,10
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 6800пф X7R 100в 10% 1206B682K101
|
PDC
|
3792
|
0,10
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-680ом 5%
|
1/4W
|
5942
|
0,02
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-680ком 5% ,,
|
1/4W
|
9170
|
0,02
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 680 NPO 50В
|
8 КОНДЕНСАТОРЫ - К10
|
397
|
0,18
|
16.01.2026 14:31:32
|
|
|
|
SMD-1206 680 Ом
|
18 РЕЗИСТОРЫ - ПОСТОЯННЫЕ - Р1-12
|
740
|
0,04
|
16.01.2026 14:31:32
|
|
|
|
SMD-1206 680 кОм
|
3 РЕЗИСТОРЫ - ПОСТОЯННЫЕ - Р1-12
|
4700
|
0,04
|
16.01.2026 14:31:32
|
|
|
|
SMD-1206 680 кОм 1%
|
16 РЕЗИСТОРЫ - ПОСТОЯННЫЕ - Р1-12
|
100
|
0,05
|
16.01.2026 14:31:32
|
|
|
|
R1206-680 кОм-5% (RS3216J684CS) (2000г.)
|
(Samsung) резистор SMD
|
4742
|
0,10
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
