|
РШ12-061225-54У3 440В 10А вилка блочная
|
1991
|
12
|
20,11
|
26.01.2026 10:17:07
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 22 Ом 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 22К 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 220К 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 2.2М 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
1206 X7R 25-0,22 мкФ
|
10%
|
1030
|
0,09
|
16.01.2026 14:40:54
|
|
|
|
1206 2,2пф NP0 50в ±0.25пФ 1206CG2R2C500NT
|
Fenghua
|
4000
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 0,022м X7R 250в 10% 1206B223K251
|
PDC
|
1746
|
0,17
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б Y5V 2,2м 50в 20% 1206Y225Z500
|
ETHER
|
1000
|
0,50
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
к10-17б X7R 2,2м 50в 10% 1206B225K500
|
ETHER
|
1275
|
0,73
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2пф NP0 50в ±0.25пФ CL31C2R2CBBNC
|
Samsung
|
286
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф Y5V 25в +80-20% CL31F225ZAFNNNE
|
Samsung
|
1250
|
0,32
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф Y5V 50в +80-20% 1206F225Z500
|
YAGEO
|
2800
|
0,30
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф Y5V 50в +80-20% CL31F225ZAFNNNE
|
Samsung
|
630
|
0,30
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф X7R 16в 10% CL31B225KOHNNNE
|
Samsung
|
270
|
0,25
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф X7R 16в 10% 1206B225K160NT
|
Fenghua
|
2000
|
0,25
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф X7R 25в 10% CL31B225KAHNNNE
|
Samsung
|
750
|
0,35
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф X7R 50в 10% CL31B225KBHNNNE
|
Samsung
|
4704
|
0,40
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
C1206-X7R-50v-2,2 мкФ-10% (TCC1206X7R225K500FT) (2010г.)
|
-- конденсатор SMD
|
680
|
0,40
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
C1206-X7R-25v-2,2 мкФ-10% (CC1206KKX7R8BB225) (2010г.)
|
(YAGEO - Surface-Mount Ceramic Multilayer Capacitors) конденсатор SMD
|
2026
|
0,40
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
