|
RES 1206 102K 1% (CRCW1206102KFKEA)
|
VISHAY ***
|
|
0,90
|
21.01.2026 9:16:16
|
|
|
|
ПМ 12-063110 ~220В (ГОСТО)2016Г
|
Пускатель ОТК
|
1
|
286,55
|
16.01.2026 14:38:02
|
|
|
|
ПМ 12-063110 ~220В (ГОСТО)2016Г
|
Пускатель ОТК
|
3
|
286,55
|
16.01.2026 14:38:02
|
|
|
|
РШ12-063210-20 У3 роз.каб.
|
Разъём ОТК
|
20
|
33,18
|
16.01.2026 14:38:02
|
|
|
|
РШ12-063210-20 У3 роз.каб.
|
Разъём ОТК
|
49
|
33,18
|
16.01.2026 14:38:02
|
|
|
|
РШ12-063310-20 У3 роз.каб.
|
Разъём ОТК
|
1
|
35,19
|
16.01.2026 14:37:22
|
|
|
|
РШ12-063310-20 У3 роз.каб.
|
Разъём ОТК
|
90
|
35,19
|
16.01.2026 14:37:22
|
|
|
|
РШ12-063310-20 У3 роз.каб.
|
Разъём
|
96
|
35,19
|
16.01.2026 14:37:22
|
|
|
|
РШ12-063310-20 У3 роз.каб.
|
Разъём
|
3
|
35,19
|
16.01.2026 14:37:22
|
|
|
|
РШ12-063210-20 У3 роз.каб.
|
Разъём ОТК
|
11
|
33,18
|
16.01.2026 14:37:22
|
|
|
|
1206 1000пф NP0 50в 10% CL31C102JBCNNNC
|
Samsung
|
4000
|
0,12
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1000пф X7R 50в 10% CL31B102KBCNNNC
|
Samsung
|
347
|
0,10
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1000пф NP0 50в 5% MA1206CG102J500PRG
|
PDC
|
547
|
0,12
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1000пф X7R 50в 10% 1206B102K500NT
|
Fenghua
|
3950
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1000пф X7R 100в 10% 1206B102K101NT
|
Fenghua
|
2918
|
0,12
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 0,01м X7R 1000в 10% TCC1206X7R103K102FT
|
CCTC
|
1873
|
0,25
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
РШ12-062310-20 У3 440В-500В (86г
|
03.01.1900 14:03:00
|
3
|
130,71
|
16.01.2026 14:32:35
|
|
|
|
C1206-X7R-1000v-0,01 мкФ-10% (C1206X103K102T)
|
(Hec) конденсатор SMD
|
3000
|
1839,48
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
C1206-X7R-1500v-1000 pF-(+80-20)% (1206SC102ZA800J) (2005г.)
|
(AVX) конденсатор SMD
|
4362
|
1839,48
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
C1206-X7R-1000v-1000 pF-10% (MH1206X102K102UGX)
|
(Chip Monolithic Ceramic Capacitor for General) конденсатор SMD
|
1697
|
0,20
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
