|
ЧИП 1206 NPO 1пФ 50В ±0.25пФ
|
|
1000
|
2429,88
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
ЧИП 1206 NPO 1.5пФ 50В ±0.25пФ
|
|
1000
|
2429,88
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
ЧИП 1206 NPO 4.7пФ 50В ±0.25пФ
|
|
1000
|
2429,88
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
ЧИП 1206 NPO 8.2пФ 50В ±0.25пФ
|
|
1000
|
2429,88
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 1.2 Ом 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 1.8 Ом 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 2 Ом 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 4.7 Ом 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
1206 0,01м NP0 25в 5% CL31C103JAFNNNE
|
Samsung
|
1769
|
0,42
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 0,68м X7R 25в 10% CL31B684KAHNNNE
|
Samsung
|
5600
|
0,28
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф Y5V 25в +80-20% CL31F225ZAFNNNE
|
Samsung
|
1250
|
0,32
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф X7R 25в 10% CL31B225KAHNNNE
|
Samsung
|
750
|
0,35
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 4,7мкф Y5V 25в +80-20% CL31F475ZAFNNNE
|
Samsung
|
240
|
0,30
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 10мкф X7R 25в 10% CL31B106KAHNNNE
|
Samsung
|
876
|
0,50
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1пф NP0 50в ±0.25пФ CL31C010CBCANNC
|
Samsung
|
2250
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1,1пф NP0 50в ±0.25пФ CL31C1R1CBBANNC
|
Samsung
|
2550
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1,2пф NP0 50в ±0.25пФ CL31C1R2CBBNNC
|
Samsung
|
2650
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1,3пф NP0 50в ±0.25пФ CL31C1R3CBBNNC
|
Samsung
|
3250
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1,5пф NP0 50в ±0.25пФ 1206CG1R5C500NT
|
MLCC
|
4350
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 1,5пф NP0 50в ±0.25пФ CL31C1R5CBBNNC
|
Samsung
|
1723
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
