|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 62К 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 62 Ом 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 620 Ом 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 6.2К 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
Чип-резистор 1206 0.25Вт 620К 5%
|
|
1000
|
4480,51
|
19.01.2026 14:23:05
|
|
|
|
1206 2пф NP0 50в ±0.25пФ 1206CG2R0C500NT
|
Fenghua
|
4000
|
0,13
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2пф NP0 50в ±0.25пФ 1206CG2R2C500NT
|
Fenghua
|
4000
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2пф NP0 50в ±0.25пФ CL31C2R2CBBNC
|
Samsung
|
286
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,7пф NP0 50в ±0.25пФ CL31C2R7CBNC
|
Samsung
|
3400
|
0,09
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф Y5V 25в +80-20% CL31F225ZAFNNNE
|
Samsung
|
1250
|
0,32
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф X7R 25в 10% CL31B225KAHNNNE
|
Samsung
|
750
|
0,35
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
2512-0,62 ом 5%
|
1W
|
3785
|
0,30
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф Y5V 50в +80-20% 1206F225Z500
|
YAGEO
|
2800
|
0,30
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф Y5V 50в +80-20% CL31F225ZAFNNNE
|
Samsung
|
630
|
0,30
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф X7R 16в 10% CL31B225KOHNNNE
|
Samsung
|
270
|
0,25
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф X7R 16в 10% 1206B225K160NT
|
Fenghua
|
2000
|
0,25
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206 2,2мкф X7R 50в 10% CL31B225KBHNNNE
|
Samsung
|
4704
|
0,40
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
1206-25,5 ком 1%
|
1/4W
|
4900
|
0,03
|
16.01.2026 14:34:15
|
|
|
|
RKD 2.5 BG 1206.2 (CONTA-CLIP)
|
(2-х уровневая проходн. клемма, 0,2-4мм, 2,5мм2, 24А, 500В, бежевая)
|
3
|
22,12
|
16.01.2026 14:19:17
|
|
|
|
1206 10 кОм 0,01% (Y162510K0000T0)
|
VPG MicroMeasur
|
50
|
62,34
|
16.01.2026 14:15:59
|
|
|
